Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor de baja tensión de alta potencia de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

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Transistor de baja tensión de alta potencia de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

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Number modelo :IPD60R180P7SAUMA1
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :en existencia
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :600V
Corriente en 25°C - dren continuo (identificación) :18A (TA)
Conduciendo el voltaje (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Este transistor del MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 de Infineon es un MOSFET del poder del canal N

 

diseñado para el uso en la rectificación síncrona de gran eficacia y los usos que cambian de alto voltaje. Este MOSFET tiene un RDS (encendido) de 0.0015Ω, de una identificación de 60A y de un grado de la energía de la avalancha de 8mJ.

 

Características dominantes:

 

• MOSFET del poder del canal N
• RDS (encendido) de 0.0015Ω
• Identificación de 60A
• Grado de la energía de la avalancha de 8mJ
• RoHS obediente
• Pb-libre

 

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