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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Casa / Productos / MOSFET Power Electronics / Electrónica de poder del MOSFET IPD60R1K4C6 - carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de gran intensidad /

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Electrónica de poder del MOSFET IPD60R1K4C6 - carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de gran intensidad
Electrónica de poder del MOSFET IPD60R1K4C6 - carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de gran intensidad
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Anuncio del producto: El canal N de IPD 60R1K4C6 aumentó especificaciones del MOSFET: •Voltaje: 60V •Resistencia: 1KΩ •Capacitancia: 4C6 •Actual: 5A ...
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Mosfet de potencia estándar tensión de la puerta igbt circuito del cargador de la batería

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