Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF En-resistencia baja del alto rendimiento

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Transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF En-resistencia baja del alto rendimiento

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Number modelo :IRLML6402TRPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V
urrent - dren continuo (identificación) @ 25°C :3.7A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :12 nC @ 5 V
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En-resistencia baja del alto rendimiento del transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF

 

Parámetros:

 

 

VDS: -20V

RDS (encendido): 0.0045Ω

Identificación: 3.2A

Paquete: SOT-23

 

Polaridad: P-canal

Montaje del tipo: Soporte superficial

Configuración: Solo

Voltaje del umbral: 2.2V

Temperatura de funcionamiento máximo: +150°C

Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C

 

 

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Transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF   En-resistencia baja del alto rendimiento

 

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