Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLML5203TRPBF Transferencia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET Eficacia para sus necesidades de la fuente de alimentación

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IRLML5203TRPBF Transferencia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET Eficacia para sus necesidades de la fuente de alimentación

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Number modelo :IRLML5203TRPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :3A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :98mOhm @ 3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :14 nC @ 10 V
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Eficacia que cambia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML5203TRPBF para sus necesidades de la fuente de alimentación

 

 

Descripción de producto:

El IRLML5203TRPBF es un MOSFET del poder del canal N con una en-resistencia baja y una velocidad que cambia rápida. Se diseña para minimizar apagón en una variedad de usos, incluyendo los convertidores de poder, las impulsiones del motor, y la gestión del poder.

 

Características:
- En-resistencia baja: ≤ 0.85mΩ (Vgs=10V) del RDS (encendido)
- Carga baja de la puerta: ≤ 11nC (Vgs=10V) de Qg
- Velocidad que cambia rápida: ≤ 25ns del tF
- Capacitancia entrada baja: ≤ 33pF de CISS
- Avalancha clasificada
- Lleve libremente
- Halógeno libre

Paquete: SOT-23

 

Especificaciones:
- Voltaje: Vds=-30V/Vgs=-20V
- Actual: Id=-0.1A/Id=-3A
- Disipación de poder: Pd=-500mW
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C

 

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IRLML5203TRPBF   Transferencia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET   Eficacia para sus necesidades de la fuente de alimentación

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