Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3114ZTRPBF para la transferencia y la eficacia confiables

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Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3114ZTRPBF para la transferencia y la eficacia confiables

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Number modelo :IRLR3114ZTRPBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :IRLR3114ZTRPBF
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :40 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :42A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :4.9mOhm @ 42A, 10V
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Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRLR3114ZTRPBF

 

Parámetros:


• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Drene la corriente (identificación): 5.4A (Tc=25°C)
• Corriente continua del dren (identificación): 4.4A (Tc=100°C)
• RDS (encendido): 0.076Ω (Vgs=10V)
• Disipación de poder máxima (paladio): 11W (Tc=25°C)
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C
• Montaje del tipo: A través del agujero

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