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Transistor del MOSFET de IRF2805PBF
El transistor del MOSFET de IRF2805PBF es un transistor del efecto de campo del aumento-modo del canal N que ofrece una en-resistencia baja y un voltaje bajo del umbral de la puerta-a-fuente. Este dispositivo se utiliza típicamente en usos que cambian tales como control de motor, conductores de la retransmisión, y otros usos que requieran la transferencia de gran intensidad.
Características dominantes:
• Transistor del efecto de campo del aumento-modo del canal N
• En-resistencia baja
• Voltaje bajo del umbral de la puerta-a-fuente
• Capacidad que cambia de gran intensidad
• Gama de temperaturas -55°C de funcionamiento a +150°C
• Corriente máxima del dren: 55A
• Voltaje máximo de la dren-fuente: 500V
• Voltaje máximo de la puerta-fuente: +/- 20V
• Disipación de poder máxima: 153W
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