Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Electrónica de poder del MOSFET de IRF7853TRPBF - eficacia alta Rds bajo

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Electrónica de poder del MOSFET de IRF7853TRPBF - eficacia alta Rds bajo

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Number modelo :IRF7853TRPBF
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :en existencia
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :100V
Corriente en 25°C - dren continuo (identificación) :8.3A (Ta)
Conduciendo el voltaje (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Nombre de producto: IRF7853TRPBF


Tipo: MOSFET

Características dominantes:


• Puerta del nivel de la lógica
• Velocidad que cambia rápida
• En-resistencia baja
• Carga baja de la puerta
• Avalancha clasificada
• RoHS obediente
• Operación da alta temperatura
• El AEC calificó
• Halógeno libre

 

 

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