Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solución de alto rendimiento de la transferencia del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF2807PBF

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Solución de alto rendimiento de la transferencia del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF2807PBF

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Number modelo :IRF2807PBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :IRF2807PBF
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :75 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :82A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :13mOhm @ 43A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
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Anuncio del producto:

 

MOSFET del poder del canal N de IRF2807PBF

 

Características:

 

• voltaje de la dren-fuente 100V
• -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +150°C
• corriente continua del dren 20A
• Velocidad que cambia rápida
• Carga baja de la puerta
• Resistencia baja del en-estado
• Alta capacidad actual máxima
• RoHS obediente
• AEC-Q101 calificó
• Halógeno-libre

 

Usos:

 

• Gestión del poder
• Convertidores de DC/DC
• Control de motor
• Iluminación de control
• Amplificadores audios

Solución de alto rendimiento de la transferencia del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF2807PBF

 

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