Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET del canal N del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFH5304TRPBF para los usos de la electrónica de poder

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MOSFET del canal N del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFH5304TRPBF para los usos de la electrónica de poder

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Number modelo :IRFH5304TRPBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :22A (TA), 79A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :4.5mOhm @ 47A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.35V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :41 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRFH5304TRPBF

 

Características:

 

• Modo del aumento del canal N

• voltaje de la Dren-fuente 100V

• corriente continua del dren 4.2A

• RDS bajo (encendido)

• Carga baja de la puerta

• Puerta del nivel de la lógica

• La avalancha 100% probó

 

• RoHS obediente

 

 

Usos:

 

 

• Convertidores de la eficacia alta DC-DC

• Interruptores de la fuente de alimentación

• Electrónica de automóvil

• Carga y línea regulación

• Control e inversores de motor

MOSFET del canal N del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFH5304TRPBF para los usos de la electrónica de poder

 

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