Descripción de producto:
El MOSFET de IRFB20N50KPBF es un MOSFET de baja tensión, de alta velocidad del poder con un voltaje de avería de 500V. Tiene una en-resistencia baja del mΩ 20 y un voltaje de la dren-fuente de 500V. Ofrece la disipación de poder más elevado, la carga baja de la puerta, y la capacitancia baja. El MOSFET es conveniente para el uso en usos que cambian.
Características:
• Voltaje de avería: 500V
• Voltaje de la Dren-fuente: 500V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ± 20V
• En-resistencia (RDS): mΩ 20
• Corriente máxima del dren: 7.8A
• Disipación de poder (paladio): 8.3W
• Carga baja de la puerta
• Capacitancia baja
• Conveniente para el uso en usos que cambian
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