Rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 alto y solución durable para los usos del poder
MOSFET del canal N de Vishay SI2301CDS-T1-GE3, 30V, 3.2A, 3,2 ohmios, 8-Pin SOT-23
Características de producto:
- Ideal discreto del paquete para los usos de alta densidad
- El soldar de alta temperatura garantizó: 260 °C/10 s en los terminales
- ESD-protegido: HBM ESD > 2000 V; CDM ESD > 1000 V
- RDS bajo (encendido) para la eficacia alta
- Transferencia de alta velocidad para el excelente rendimiento
- Carga baja de la puerta para reducido el cambiar de pérdidas
- Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
Especificaciones de producto:
- Polaridad: Canal N
- Voltaje: 30V
- Actual: 3.2A
- Resistencia del En-estado: 3,2 ohmios
- Número de pernos: 8-Pin SOT-23
- Tipo del paquete: SOT-23
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