Producto: MOSFET DE IRFH5210TRPBF
Descripción: Este MOSFET es un MOSFET de alto voltaje del canal N que ofrece el RDS bajo (encendido), la transferencia rápida, y la carga baja de la puerta. Se diseña para soportar usos de alto voltaje, de gran intensidad, y des alta temperatura.
Parámetros:
- Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 100V
- Drene la corriente (identificación): 110A
- RDS (encendido): 0,0075 ohmios
- Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
- Carga total de la puerta (Qg): 17nC
- Capacitancia entrada (CISS): 7400pF@VDS =25V
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
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