Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7476TRPBF HEXFET

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MOSFET del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7476TRPBF HEXFET

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Number modelo :IRF7476TRPBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :interrumpido
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :12V
Corriente en 25°C - dren continuo (identificación) :15A (TA)
Conduciendo el voltaje (Max Rds On, Min Rds On) :2.8V, 4.5V
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Título del producto: MOSFET del poder del IRF 7476 TRPBF HEXFET

 

Descripción de producto:

 

1. El IRF 7476 TRPBF es un MOSFET del poder de HEXFET del rectificador internacional.

2. Tiene corriente máxima del dren de 5,2 A, voltaje máximo de la dren-fuente de 55V, y voltaje máximo del umbral de la puerta de 2,5 V.

3. Tiene una en-resistencia baja de 0,022 ohmios y una disipación de poder más elevado de 12W.

4. Este MOSFET es ideal para los usos tales como convertidores de DC/DC, amplificadores audios e impulsiones del motor.

5. El dispositivo ofrece un paquete de TO-220AB, haciéndolo fácil montar y utilizar en una variedad de usos.

6. Se diseña para preservar integridad de señal y para minimizar ruido y pérdidas que cambian.

7. El MOSFET es RoHS obediente y ofrece la construcción halógeno-libre, tomándole una decisión respetuosa del medio ambiente.

 

 

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