Transistor de poder del MOSFET de IRFB 4620 PBF
Transferencia confiable del poder del alto rendimiento
Características:
• voltaje de la Dren-fuente 200V (VDS)
• corriente continua del dren 8.9A (identificación) en 25°C
• corriente continua del dren 12.3A (identificación) en 100°C
• corriente pulsada máxima del dren 74A (IDM)
• resistencia máxima del En-estado de la Dren-fuente 2.1Ω (RDS (encendido)) en 10V
• corriente máxima de la avalancha 175A (IAR)
• energía máxima de la avalancha 175A (EAS)
• -55°C a la temperatura de empalme de funcionamiento 175°C (Tj)
• Carga baja de la puerta para la transferencia rápida
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