Descripción de producto:
- MOSFETs de alto rendimiento del canal N con en-resistencia baja
- Carga baja de la puerta y velocidades que cambian rápidas para la densidad mejorada de la eficacia y de poder
- (Se sentó) capacidad de alto voltaje, de gran intensidad y baja-Vce
- Conveniente para una amplia gama de fuente de alimentación y de usos que cambian
- Diseño rugoso, confiable y rentable
- paquete obediente Halógeno-libre y de RoHS
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