Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositivo económico de energía de la transferencia del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IR2108STRPBF para automotriz

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Dispositivo económico de energía de la transferencia del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IR2108STRPBF para automotriz

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Number modelo :IR2108STRPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Paquete :Superficie-soporte
Gama de usos :Ancho
Configuración conducida :Semipuente
Tipo de canal :Independiente
Número de conductores :2
Voltaje - fuente :10V ~ 20V
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Poder del MOSFET de IR2108STRPBF

Dispositivo que cambia económico de energía del alto rendimiento de la electrónica para automotriz

 

 

Descripción de producto:

 

El IR2108STRPBF es un MOSFET de alto rendimiento, de baja tensión del rectificador internacional. Ofrece un grado del voltaje de la dren-fuente de 100V, una resistencia del en-estado de 0,01 ohmios, y un grado actual de 6A. Se diseña para proporcionar la protección superior contra los puntos de voltaje, ESD, y otros disturbios eléctricos. Está disponible en un paquete del superficie-soporte y es conveniente para una amplia gama de usos incluyendo automotriz, industrial,

y productos electrónicos de consumo.

 

 

Características de producto:


• MOSFET de baja tensión con el grado del voltaje de la dren-fuente de 100V
• resistencia del En-estado de 0,01 ohmios
• Grado actual de 6A
• Protección superior contra los puntos de voltaje, ESD, y otros disturbios eléctricos
• paquete del Superficie-soporte
• Amplia gama de usos incluyendo automotriz, industrial, y los productos electrónicos de consumo

 

 

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Dispositivo económico de energía de la transferencia del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IR2108STRPBF para automotriz

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