MOSFET DE IRGB4062DPBF
Transferencia de gran intensidad de pequeñas pérdidas del alto rendimiento de la electrónica de poder.
Descripción:
El IRGB4062DPBF es un MOSFET del canal N, contenido en un paquete TO-252. Se diseña para el uso en una variedad de usos, incluyendo la gestión del poder, la conversión de poder, y la transferencia del poder.
Características:
- Canal N, MOSFET de baja tensión, de alto rendimiento
- Voltaje máximo de la Dren-fuente: 60V
- Resistencia del En-estado de la Dren-fuente: 0,43 ohmios
- Voltaje máximo de la Puerta-fuente: 20V
- Disipación de poder máxima: 3.2W
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
- Tipo del paquete: TO-252
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