MOSFET DE IRF5803TRPBF
Solución de la electrónica de poder de la eficacia alta del poder más elevado
Parámetros:
• Paquete: TO-220
• Tecnología: Canal N
• Polaridad: Tipo del aumento
• Voltaje de la Dren-fuente (Vds): 100 V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): 10 V
• Corriente continua del dren (identificación): 8 A
• Resistencia del En-estado de la Dren-fuente (Rds): 0,06 ohmios
• Temperatura de empalme máxima (Tj): 150°C
• Disipación de poder (paladio): 14 W
• Montaje del tipo: A través del agujero
• Número de elementos: 1
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Tiempo de caída (tf): 0,1 nosotros
• Tiempo de subida (tr): 0,1 nosotros
• Capacitancia de la Dren-fuente (Cd):-
• Marca: IRF
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