Poder del MOSFET de IRLR2908TRPBF
Solución confiable y eficiente del alto rendimiento del transistor electrónico del poder
Anuncio del producto:
MOSFET del poder de IRLR2908TRPBF
Características:
- MOSFET del canal N
- Carga baja de la puerta
- Transferencia rápida
- voltaje de avería de la Dren-fuente 100V
- RDS (encendido) = 0,065 ohmios
- temperatura de funcionamiento 175C
- corriente continua del dren 8.5A
- Voltaje bajo del umbral
- Sin plomo/RoHS obediente
- Disponible libre del halógeno a petición
- Paquete de TO-252/DPAK
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