Poder del MOSFET de IRLR2905ZTRPBF
Punto bajo del alto rendimiento del transistor en la transferencia rápida de la resistencia
Características:
• Impulsión de la puerta del nivel de la lógica, 4.5V a 20V
• En-resistencia baja RDS (encendido)
• El 100% UIL probado
• RoHS obediente
• Halógeno y antimonio libres
• AEC-Q101 calificó
• temperatura de funcionamiento 175°C
Especificaciones:
• Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 30V
• Corriente continua del dren (identificación): 11A
• Corriente pulsada del dren (Idm): 22A
• Puerta al voltaje de la fuente (Vgs): ±20V
• Drene a la En-resistencia de la fuente (Rds): 0.065Ω
• Carga total de la puerta (Qg): 2.2nC
• Capacitancia entrada (CISS): 930pF
• Resistencia termal, empalme a ambiente (RthJA): 50°C/W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Paquete: TO-220
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