Funcionamiento que cambia excelente de alta calidad de la disipación de energía baja de la electrónica de poder del MOSFET de IRF1407STRLPBF
Características de producto:
• En-resistencia baja
• Alta capacidad actual máxima
• Carga baja de la puerta
• Alto voltaje de avería
• Capacitancia baja de entrada y de salida
• Velocidad que cambia rápida
• Voltaje ultrabajo del umbral
• RoHS obediente
• AEC-Q101 calificó
Especificaciones técnicas:
• Tipo del transistor: MOSFET
• Drene al voltaje de la fuente (Vds): 60V
• Puerta al voltaje de la fuente (Vgs): ±20V
• Drene la corriente (identificación): 6A
• Corriente continua del dren (identificación): 2.5A
• En-resistencia (Rdson): 0,07 Ω
• Disipación de poder (paladio): 4.2W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
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