Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositivo de alto rendimiento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de IRF9Z24NPBF para los usos de la electrónica de poder

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País/Región:china
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Dispositivo de alto rendimiento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de IRF9Z24NPBF para los usos de la electrónica de poder

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Number modelo :IRF9Z24NPBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :P-canal
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :55 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :12A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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El IRF9Z24NPBF es un transistor del MOSFET del poder que ofrece una gama de características y de especificaciones, incluyendo:

  • Resistencia baja del en-estado de 0,12 ohmios en un VGS de 10 voltios
  • Capacidad que lleva de gran intensidad de 12 amperios
  • Grado máximo del voltaje de 55 voltios
  • Diodo incorporado del cuerpo para las velocidades que cambian rápidas y la operación eficiente
  • Diseño compacto y rugoso para la integración fácil en diseños de circuito
  • Tecnología avanzada de HEXFET para el rendimiento superior y la confiabilidad
  • Grado de alta temperatura para la operación confiable en condiciones extremas

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