Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRF9Z24NSTRLPBF en la transferencia de alta velocidad de la resistencia

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País/Región:china
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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRF9Z24NSTRLPBF en la transferencia de alta velocidad de la resistencia

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Number modelo :IRF9Z24NSTRLPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Número de canales :1
voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :100 V
Corriente continua del dren (identificación) :4,5 A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2,4 mOhms @ 1,2 A, 10 V
Carga de la puerta (Qg) @ Vgs :15 nC @ 10 V
Tipo de producto :MOSFET
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Poder del MOSFET de IRF9Z24NSTRLPBF

Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica en la transferencia de alta velocidad de la resistencia

 

 

Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRF9Z24NSTRLPBF

Tipo de producto: MOSFET

Marca: IRF

Modelo: IRF9Z24NSTRLPBF

Número de canales: 1

Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 100 V

Corriente continua del dren (identificación): 4,5 A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 2,4 mOhms @ 1,2 A, 10 V

Carga de la puerta (Qg) @ Vgs: 15 nC @ 10 V

Capacitancia entrada (CISS) @ Vds: 308 PF @ 10 V

Poder - máximo: 1,8 W

Montaje del tipo: Soporte superficial

Paquete/caso: TO-220-3

 

 

 

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