Canal N SI2347DS-T1-GE3
Módulo de electrónica de poder del MOSFET para los usos de la eficacia alta
Características de producto:
- RDS bajo (ENCENDIDO)
- Carga baja de la puerta
- Alto voltaje de avería de la dren-fuente
- Eficacia alta
- Resistencia termal excelente
- Transferencia de alta velocidad
Especificaciones de producto:
- VDSS: 30 V
- RDS (ENCENDIDO): mΩ 2,1 (máximo)
- Qg: 4,7 nC (máximos)
- VGS: ±20 V
- Capacitancia entrada (CISS): 740 PF (tipo)
- Disipación de poder (paladio): 1,1 W (máximo)
- Temperatura de empalme de funcionamiento: 150°C (máximo)
- Tipo del paquete: TO-252-3
- Fabricante: Vishay Siliconix
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