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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Casa / Productos / Silicon Carbide Wafer / Waferas epitaxiales 4H-SiC para MOSFET de ultraalta tensión (100 ‰ 500 μm, 6 pulgadas) /

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Oblea del carburo de silicio

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Sapphire Tube

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Oblea del nitruro del galio

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T8 tubo de luz LED

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Substrato del semiconductor

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Gem Stone sintético

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Partes de cerámica

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equipo de laboratorio científico

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Caja de reloj del cristal de zafiro

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Caja del portador de la oblea

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Substrato monocristalino fino superconductor

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Waferas epitaxiales 4H-SiC para MOSFET de ultraalta tensión (100 ‰ 500 μm, 6 pulgadas)
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