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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Casa / Productos / Silicon Carbide Wafer / Wafer epitaxial de SiC – Sustratos de SiC 4H/6H Espesor y dopaje personalizados /

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substrato del zafiro

 [89]

Zafiro Windows óptico

 [100]

Oblea del carburo de silicio

 [111]

Sapphire Tube

 [66]

Oblea del nitruro del galio

 [25]

T8 tubo de luz LED

 [1]

Substrato del semiconductor

 [109]

Gem Stone sintético

 [78]

Partes de cerámica

 [14]

equipo de laboratorio científico

 [60]

Caja de reloj del cristal de zafiro

 [21]

Caja del portador de la oblea

 [16]

Substrato monocristalino fino superconductor

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Wafer epitaxial de SiC – Sustratos de SiC 4H/6H Espesor y dopaje personalizados
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Descripción general de la oblea epitaxial de SiC Las obleas epitaxiales de SiC de 4 pulgadas (100 mm) continúan desempeñando un papel vital en el ...
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