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LNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN Substrato

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LNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN Substrato

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Número de modelo :2//3/4/6/8
Lugar de origen :China.
Cantidad mínima de pedido :2
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :por el caso
El material :LiNbO3
Diámetro/tamaño :2//3/4/6/8
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Wafer LNOI (Niobato de Litio sobre Aislante) 2/3/4/6/8 pulgadas Sustrato Si/LN

Introducción de Wafer LNOI
Los wafers LNOI (Niobato de Litio sobre Aislante) son un material de vanguardia utilizado en el desarrollo de dispositivos fotónicos y cuánticos avanzados. Estos wafers se fabrican mediante la unión de una fina capa de niobato de litio (LiNbO₃) a un sustrato aislante, típicamente silicio, a través de procesos especializados como la implantación de iones y la unión de wafers. Los wafers LNOI heredan las excepcionales propiedades ópticas y piezoeléctricas del niobato de litio, lo que los hace indispensables para aplicaciones de alto rendimiento en óptica integrada, telecomunicaciones y tecnologías cuánticas. Este artículo explora los principios fundamentales, las aplicaciones clave y las preguntas frecuentes sobre los wafers LNOI.

LNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN SubstratoLNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN Substrato


Principio de Fabricación de Wafer LNOI:
El proceso de creación de wafers LNOI es complejo e implica varios pasos críticos para garantizar la alta calidad y funcionalidad del producto final. Aquí hay un desglose de las etapas clave:

LNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN Substrato

  1. Implantación de iones:
    El proceso de fabricación comienza con un cristal de niobato de litio a granel. Los iones de helio (He) de alta energía se implantan en la superficie del cristal. La energía y la profundidad de los iones determinan el grosor de la capa de niobato de litio. Esta implantación de iones crea un plano frágil dentro del cristal, que se puede separar durante las etapas posteriores del proceso para obtener una película fina de niobato de litio de alta calidad.

  2. Unión al sustrato:
    Una vez que se completa el proceso de implantación de iones, la capa de niobato de litio (que ha sido debilitada por los iones) se une a un sustrato aislante, típicamente silicio. Esto se hace utilizando técnicas de unión directa de wafers, donde las superficies se presionan juntas a alta presión y temperatura. La unión resultante forma una interfaz estable entre la fina capa de niobato de litio y el sustrato de soporte.

  3. Recocido y separación de capas:
    Después de la unión, el wafer se somete a un proceso de recocido, que ayuda a reparar cualquier daño causado por la implantación de iones. El paso de recocido también promueve la separación de la capa superior de niobato de litio del cristal a granel. Esto da como resultado una capa fina de niobato de litio de alta calidad sobre el sustrato, que es esencial para su uso en diversas aplicaciones fotónicas y cuánticas.

  4. Pulido químico-mecánico (CMP):
    Para lograr la calidad y planitud de superficie deseadas, el wafer se somete a un pulido químico-mecánico (CMP). El CMP suaviza cualquier rugosidad en la superficie, asegurando que el wafer final cumpla con los estrictos requisitos para su uso en dispositivos fotónicos de alto rendimiento. Este paso es fundamental para garantizar un rendimiento óptico y reducir los defectos.


Especificación de Wafer LNOI

Material Óptico Grado LiNbO3 wafers
Curie Temperatura 1142±0.7℃
Corte Ángulo X/Y/Z, etc.
Diámetro/tamaño 2”/3”/4”/6"/8”
Tol(±) <0.20 mm ±0.005mm
Grosor 0.18~0.5mm o más
Principal Plano 16mm/22mm/32mm
TTV <3μm
Alabeo -30
Deformación <40μm
Orientación Plano Todos disponibles
Superficie Tipo Pulido de una sola cara (SSP)/Pulido de dos caras (DSP)
Pulido lado Ra <0.5nm
S/D 20/10
Borde Criterios R=0.2mm Tipo C o Bullnose
Calidad Libre de grietas (burbujas e inclusiones)
Óptico dopado Mg/Fe/Zn/MgO, etc. para grado óptico LN< wafers por solicitud
Wafer Superficie Criterios Índice de refracción No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm longitud de onda/método de acoplador de prisma.
Contaminación, Ninguno
Partículas c>0.3μ m <=30
Arañazos, Astillado Ninguno
Defecto Sin grietas en los bordes, arañazos, marcas de sierra, manchas
Embalaje Cantidad/Caja de wafer 25 piezas por caja


Aplicaciones de los wafers LNOI:
Los wafers LNOI se utilizan en varios campos, particularmente aquellos que requieren propiedades de materiales avanzadas para aplicaciones fotónicas, cuánticas y de alta velocidad. A continuación se presentan las áreas clave donde los wafers LNOI son indispensables:

LNOI Wafer Niobato de litio en el aislante 2/3/4/6/8 pulgadas LN Substrato

  1. Óptica Integrada:
    Los wafers LNOI se utilizan ampliamente en óptica integrada, donde sirven como base para dispositivos fotónicos como moduladores, guías de onda y resonadores. Estos dispositivos son cruciales para manipular la luz a nivel de circuito integrado, lo que permite la transmisión de datos a alta velocidad, el procesamiento de señales y aplicaciones ópticas avanzadas.

  2. Telecomunicaciones:
    Los wafers LNOI juegan un papel vital en las telecomunicaciones, particularmente en los sistemas de comunicación óptica. Se utilizan para crear moduladores ópticos, que son componentes esenciales para las redes de fibra óptica de alta velocidad. Las excepcionales propiedades electro-ópticas de LNOI permiten una modulación precisa de la luz a altas frecuencias, lo cual es esencial para los sistemas de comunicación modernos.

  3. Computación Cuántica:
    Los wafers LNOI son un material ideal para las tecnologías cuánticas debido a su capacidad para generar pares de fotones entrelazados, que son esenciales para la distribución de claves cuánticas (QKD) y la criptografía cuántica. Su integración en sistemas de computación cuántica permite el desarrollo de circuitos fotónicos avanzados, que son críticos para el futuro de la computación y las tecnologías de comunicación cuánticas.

  4. Tecnologías de Detección:
    Los wafers LNOI también se utilizan en aplicaciones de detección óptica y acústica. La capacidad de los wafers para interactuar tanto con la luz como con el sonido los hace valiosos para los sensores utilizados en el diagnóstico médico, el monitoreo ambiental y las pruebas industriales. Su alta sensibilidad y estabilidad garantizan mediciones precisas, lo que los hace esenciales en estos campos.


Preguntas frecuentes de Wafer LNOI

  1. ¿De qué están hechos los wafers LNOI?
    Los wafers LNOI consisten en una fina capa de niobato de litio (LiNbO₃) unida a un sustrato aislante, típicamente silicio. La capa de niobato de litio proporciona excelentes propiedades ópticas y piezoeléctricas, lo que la hace ideal para diversas aplicaciones de alto rendimiento.

  2. ¿En qué se diferencian los wafers LNOI de los wafers SOI?
    Si bien tanto los wafers LNOI como los SOI consisten en una película delgada unida a un sustrato aislante, LNOI utiliza niobato de litio como material de película delgada, mientras que los wafers SOI utilizan silicio. El niobato de litio ofrece propiedades ópticas no lineales superiores, lo que hace que los wafers LNOI sean más adecuados para aplicaciones como la computación cuántica y la fotónica avanzada.

  3. ¿Cuáles son los principales beneficios de usar wafers LNOI?
    Los principales beneficios de los wafers LNOI incluyen sus altos coeficientes electro-ópticos, que permiten una modulación eficiente de la luz, así como su resistencia mecánica, que garantiza la estabilidad durante el funcionamiento del dispositivo. Estas propiedades hacen que los wafers LNOI sean ideales para aplicaciones ópticas y cuánticas de alta velocidad.

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