Bandeja de cerámica de carburo de silicio SiC para grabado de semiconductores y manipulación de obleas fotovoltaicas

Introducción de la bandeja de cerámica SIC- ¿ Qué?
- ¿ Qué?

La bandeja cerámica SIC (Silicon Carbide Ceramic Tray) es una herramienta de transporte industrial de alto rendimiento basada en el carburo de silicio (SiC).energía fotovoltaicaEl uso de las propiedades excepcionales del SiC, tales como la resistencia a altas temperaturas, la resistencia a la corrosión, la resistencia a la corrosión, la resistencia a la corrosión y la resistencia a la corrosión.y alta conductividad térmica, sirve como un reemplazo ideal para materiales tradicionales como el grafito y los metales en escenarios industriales avanzados..

Principios básicosSIC bandeja de cerámica- ¿ Qué?
 

(1) Propiedades del material

Resistencia a altas temperaturas: punto de fusión de hasta 2700°C, funcionamiento estable a 1800°C, adecuado para procesos de altas temperaturas (por ejemplo, grabado ICP, MOCVD).
Alta conductividad térmica: 140­300 W/m·K (superior al grafito y al SiC sinterizado), garantizando una distribución uniforme del calor y minimizando la deformación inducida por el esfuerzo térmico.
Resistencia a la corrosión: Resistencia a ácidos fuertes (por ejemplo, HF, H2SO4) y alcalinos, evitando la contaminación o daños estructurales.
Baja expansión térmica: coeficiente de expansión térmica (4.0×10−6/K) cercano al silicio, reduciendo la deformación durante los cambios de temperatura.

(2) Diseño estructural

Alta pureza y densidad: contenido de SiC ≥99,3%, porosidad ≈0, formado mediante sinterización a alta temperatura (2250~2450°C) para evitar el derramamiento de partículas.
Tamaños personalizables: admite diámetros grandes (por ejemplo, φ600 mm) y características integradas (agujeros de vacío, ranuras) para el manejo de obleas y el rocío de vacío

Principales aplicacionesSIC bandeja de cerámica- ¿ Qué?
- ¿ Qué?

(1) Fabricación de semiconductores.

Procesamiento de obleas: Se utiliza en el grabado ICP y CVD (deposición química de vapor) para estabilizar el posicionamiento de las obleas.
Equipo MOCVD: Actúa como un portador para el crecimiento de GaN (nitruro de galio) en LED de alto brillo, resistente a temperaturas de 1100 ∼ 1200 °C.

(2) Energía fotovoltaica

Crecimiento de cristal de silicio: sustituye a los crisol de cuarzo en la producción de silicio policristalino, tolerando temperaturas de fusión > 1420 °C.

(3) Mecanizado por láser y de precisión

Grabación/corte: sirve como plataforma para materiales grabados con láser, resistente a los impactos de rayos de alta energía.

(4) Ingeniería química y medioambiental

Equipo resistente a la corrosión: utilizado en tuberías y reactores para el manejo agresivo de fluidos

Pregunta y respuesta.SIC bandeja de cerámica
- ¿ Qué?

P1: ¿Cómo se compara el SIC con las bandejas de grafito?
R: SIC soporta temperaturas más altas (1800 ° C vs. ~ 1000 ° C) y evita la delaminación del revestimiento.

P2: ¿Pueden reutilizarse las bandejas SIC?
R: Sí, pero evita los impactos mecánicos y las temperaturas extremas. Limpia los residuos con herramientas blandas; almacena en seco para evitar la absorción de humedad.

P3: ¿Los modos de fallo más comunes?
Respuesta: agrietamiento por choque térmico o tensión mecánica.

P4: ¿Es adecuado para entornos de vacío?
R: Sí. Su alta pureza y baja desgasificación los hacen ideales para el pulverización al vacío y el grabado de semiconductores.

P5: ¿Cómo seleccionar las especificaciones?
A: Considere la temperatura del proceso, la capacidad de carga y la compatibilidad (por ejemplo, bandejas de φ600 mm para obleas grandes)

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