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Nitruro de galio Substratos GaN Wafers GaN en silicio Substrato independiente Semi-insultante
Podemos ofrecer un sustrato de cristal único de nitruro de galio (GaN) de 2 a 8 pulgadas o una hoja epitaxial, y las hojas epitaxial de GaN a base de zafiro / silicio de 2 a 8 pulgadas están disponibles.
The rapid development of the first and second generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has promoted the rapid development of microelectronics and optoelectronics technologySin embargo, debido a las limitadas propiedades del material, la mayoría de los dispositivos fabricados con estos materiales semiconductores sólo pueden funcionar en el ambiente por debajo de 200 °C.que no pueden satisfacer los requisitos de la tecnología electrónica moderna para altas temperaturas, dispositivos de alta frecuencia, alta presión y antirradiación.
El nitruro de galio (GaN), al igual que los materiales de carburo de silicio (SiC), pertenece a la tercera generación de materiales semiconductores con ancho de banda ancha, con ancho de banda grande, alta conductividad térmica,alta tasa de migración de saturación de electronesLos dispositivos GaN tienen una amplia gama de perspectivas de aplicación en alta frecuencia.campos de alta velocidad y alta demanda de energía, como la iluminación LED de ahorro de energía, proyección láser, vehículos de nueva energía, red inteligente, comunicación 5G.
Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda (Eg) es mayor o igual a 2,3 electrónvoltios (eV),también conocidos como materiales semiconductores de banda anchaEn comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un campo eléctrico de alta degradación,alta tasa de migración de electrones saturados, y alta energía de unión, que puede satisfacer los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta temperatura, alta potencia, alta presión,resistencia a la radiación y a las altas frecuencias y a otras condiciones adversasTiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de defensa nacional, aviación, aeroespacial, exploración petrolera, almacenamiento óptico, etc.y puede reducir las pérdidas de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, la iluminación de semiconductores y la red inteligente, y puede reducir el volumen de equipos en más del 75%,que es de gran importancia para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humana.
| Punto de trabajo | Se trata de una prueba de la complejidad de la materia prima. | Se trata de una combinación de las siguientes sustancias: | Se aplicará el método de clasificación de los productos de la categoría 1 del anexo II. |
| Diámetro | 50.8 ± 1 mm | ||
| El grosor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación | el plano C (0001) con ángulo fuera hacia el eje M 0,35 ± 0,15° | ||
| En primer plano | (1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm | ||
| Apartamento secundario | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Conductividad | Tipo N | Tipo N | Semi-aislante |
| Resistencia (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 15 μm | ||
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 20 μm | ||
| Roughness de la superficie de la cara | < 0,2 nm (polidas); | ||
| N La rugosidad de la superficie | 0.5 ~ 1,5 μm | ||
| Opción: 1 a 3 nm (mundo fino); < 0,2 nm (polido) | |||
| Densidad de dislocación | Desde 1 x 105 hasta 3 x 106 cm-2 (calculado por CL) * | ||
| Densidad de macro defectos | < 2 cm-2 | ||
| Área útil | > 90% (excluidos los defectos de borde y macro) | ||
*Se puede personalizar de acuerdo con los requisitos del cliente, diferente estructura de silicio, zafiro, hoja epitaxial GaN basada en SiC
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