SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMERCIO FAMOSO CO., LTD DE SHANGAI
Add to Cart
La oblea del óxido del galio de Epiwafers Beta Coefficient-Ga 2O3 del óxido del galio dopó el substrato Dsp Ssp del cuadrado del magnesio Fe3+
El óxido del galio (Ga2O3) tiene una energía grande de banda-Gap, y la se puede crecer de una fuente del derretimiento. Como consecuencia, los substratos monocristal grandes, de alta calidad se pueden fabricar a bajo costo. Estas características hacen Ga2O3 un material prometedor para la electrónica de poder de la siguiente generación. También tiene la alta ventaja de reducir la resistencia de serie del LED o del UVB azul LED.
β-Ga2O3 es un compuesto del óxido del galio, que es un material ancho del semiconductor del hueco de banda. Su estructura cristalina pertenece al sistema cristalino hexagonal, con alta movilidad de electrón y ancho de banda grande, así que tiene una perspectiva amplia del uso. Aquí están algunos detalles sobre β-Ga2O3:
Propiedades físicas:
Estructura cristalina: sistema cristalino hexagonal
Densidad: ³ de 5,88 g/cm
Enreje constante: = 0,121 nanómetros, c = 0,499 nanómetros
Punto de fusión: °C 1725
Índice de refracción: 1.9-2.5
Gama de longitud de onda transparente: los 0.23-6.0μm
Propiedades eléctricas:
Ancho de banda: 4.8eV
Movilidad de electrón: 200-600 ² /Vs del cm
Tarifa de la salida: ² de 10^ -5-10 ^-10 A/cm
Potencial REDOX: 2.5V contra NHE
Debido a su hueco de banda amplio y alta movilidad de electrón, β-Ga2O3 tiene una perspectiva amplia del uso en electrónica de poder, photoelectronics, células solares y otros campos. Los usos específicos incluyen:
Detectores ultravioletas y lasers
Diodos de los MOSFETs y de Schottky del poder más elevado
Sensor de alta temperatura y sensor potencial
Células solares y materiales del LED
β-Ga2O3 todavía hace frente a algunos desafíos en la preparación y el uso, tal como crecimiento cristalino, control de la impureza, fabricación del dispositivo, etc. Sin embargo, con el desarrollo continuo de la tecnología, la perspectiva del uso de β-Ga2O3 sigue siendo muy amplia.
| Óxido del galio, solo cristal Ga2O3 | substratos 2inch | substratos de 10*15m m | |||||
| Orientación | (- 201) | (- 201) | (- 201) | (010) | (010) | (010) | |
| Dopante | Sn | Sin impurificar | Sn | Sn | Sin impurificar | FE | |
| Conductividad | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo | Aislamiento (>1010 | |
| Nd-Na (cm-3) | 5E17~9E18 | 5E17 o menos | 5E17~9E18 | 1E18~9E18 | 1E17~5E17 | - | |
| Dimensiones | A-B (milímetros) | 50.8±0.3 | 50.8±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 |
| CD (milímetros) | 41~49.8 | 41~49.8 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | |
| Grueso | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | |
| Referencia (m | Fig.1 | Fig.1 | Fig.2 | Fig.3 | Fig.3 | Fig.3 | |
| Ángulo de compensación (grado) |
[010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | |
| [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | ||
| FWHM (arco segundo) | [010]: 150 o menos | [010]: 150 o menos | [010]: 150 o menos | 丄 [102]: 150 o | 丄 [102]: 150 o | 丄 [102]: 150 o | |
| [102]: 150 o menos | [102]: 150 o menos | [102]: 150 o menos | [102]: 150 o menos | [102]: 150 o menos | [102]: 150 o menos | ||
| Superficie | Frente | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP |
| Detrás | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero |
|
| Artículo | Especificación | |||||
| Orientación | -100 | |||||
| Dopado | UID | Magnesio | FE | |||
| Parámetro eléctrico | 1 ×1017~3×1018cm-3 | ≥1010 Ω ·cm | ≥1010 Ω ·cm | |||
| anchura de media altura de la curva del oscilación del Gemelo-cristal | ≤150 | |||||
| Densidad de dislocación | <1×10 5 cm2s | |||||
| Dimensión | A-B | CD | 厚度 | |||
| 10m m | 10.5m m | 0,5 (±0.02) milímetros | ||||
| 5m m | 10m m | 0,5 (±0.02) milímetros | ||||
| Llanura | El lado largo es orientación [de 010] | |||||
| Superficie | DSP/SSP | |||||
| Ra<0> | ||||||
| Mis<> | ||||||
