Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único

Las tecnologías de PVT, HTCVD y LPE para la producción de hornos de crecimiento de SiC Boule de cristal único

Resumen del horno de crecimiento de SiC Boule

ZMSH se enorgullece de ofrecer elHorno de crecimiento de SiC Boule, una solución avanzada diseñada para la producción decon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 20%. Utilizando tecnologías de vanguardia comoPVT (Transporte físico de vapor),HTCVD (deposición química de vapor a altas temperaturas), yLPE (epitaxia en fase líquida), nuestroHorno de crecimiento de SiC Bouleestá optimizado para el crecimiento estable y eficiente de alta purezaLos demásEste horno apoya la producción6 pulgadas,8 pulgadas, y tamaño personalizadoLos demás, satisfaciendo las exigencias estrictas de la electrónica de potencia, los vehículos eléctricos y los sistemas de energía renovable.

Propiedades del horno de crecimiento de SiC Boule

• Compatibilidad entre varias tecnologíasElHorno de crecimiento de SiC Boulesoporta los procesos PVT, HTCVD y LPE, proporcionando flexibilidad para diferentes métodos de crecimiento de cristales de SiC.
• Control preciso de la temperatura: La resistencia avanzada o el calentamiento por inducción aseguran una distribución uniforme de la temperatura, con una precisión de control de ± 1 °C, esencial para la seguridad de los equipos.SiC Bouleel crecimiento.
• Control de vacío y presión: Los sistemas integrados de vacío y presión de alta precisión mantienen condiciones óptimas de crecimiento, mejorando la calidad de la producción y la calidad de la producción.SiC Boulecalidad y rendimiento.
• Apoyo de tamaño de cristal: Capaz de crecer6 pulgadas y 8 pulgadas de SiC Boules, con personalización disponible para tamaños más grandes.
• Alta eficiencia y seguridadElHorno de crecimiento de SiC Bouleestá diseñado para la eficiencia energética, la facilidad de operación y la seguridad, con características tales como carga de fondo y sistemas de control automático.
• Medio ambiente estable para el crecimiento de cristales: Garantiza condiciones de crecimiento consistentes, reduciendo la densidad de defectos y mejorando el rendimiento de los productos finalesOfras de SiC.
   

  Especificación	Detalles
  Las dimensiones (L × W × H)	Las medidas de ensayo se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
  Diámetro del crisol	Ø 400 mm
  El último vacío	5 × 10−4 Pa (después de 1,5 horas de bombeo)
  Diámetro del eje de rotación	Ø 200 mm
  Altura del horno	Las demás:
  Método de calentamiento	Calentamiento por inducción
  Temperatura máxima	2400 °C
  Potencia de calefacción	Pmax = 40 kW, Frecuencia = 812 kHz
  Medición de la temperatura	Pirómetro infrarrojo de dos colores
  Rango de temperatura	900 ∼ 3000 °C
  Precisión de la temperatura	± 1°C
  Rango de presión	1 ‰ 700 mbar
  Precisión del control de presión	1·10 mbar: ±0,5% de F.S.; 10 ‰ 100 mbar: ±0,5% F.S.; Se aplicarán las siguientes medidas:
  Modo de carga	Carga en el fondo, operación segura y sencilla
  Características opcionales	Rotación del eje, zonas de doble temperatura

  
   

Tres tipos de horno de crecimiento de SiC Boule detalles

Foto del horno de crecimiento de SiC Boule

SiC Boule de nuestro horno

El horno de crecimiento de SiC Boule en la fábrica de los clientes

A continuación se muestra una instalación de nuestroHorno de crecimiento de SiC BouleEn la actualidad, la mayoría de los productos de la industria se utilizan para la fabricación de productos de alta calidad.Horno de crecimiento de SiC Boulepara la producción a gran escala deOfras de SiCcon una consistencia y calidad excepcionales.

Servicios personalizados para hornos de crecimiento de SiC Boule

En elZMSH, entendemos que las necesidades de producción de cada cliente son únicas.soluciones totalmente personalizablespara nuestroHorno de crecimiento de SiC Boule, garantizando una óptima compatibilidad con sus procesos de producción, requisitos técnicos y objetivos de crecimiento de cristales.