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Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

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Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

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Número de modelo :Sapphire Wafer
Lugar de origen :porcelana
Cantidad mínima de pedido :25
Condiciones de pago :T/T
Tiempo de entrega :Entre 4 y 6 semanas
El material :Oblea del carburo de silicio
TTV :<15um
La velocidad warp. :<30um
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Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

 

Resumen

 

El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda ancha de tercera generación, ofrece propiedades superiores como una alta resistencia al campo de descomposición (> 30 MV/cm), una excelente conductividad térmica (> 1,500 W/m·K)En la actualidad, el SiC se utiliza para la fabricación de vehículos eléctricos y para la fabricación de vehículos eléctricos.la adopción deOferta de SiC de 12 pulgadas(también conocido comoWaferas de SiC de 300 mmLa transición hacia el mercado interior y hacia el mercado exterior es un factor determinante en el aumento de la producción y en la reducción de los costes.plaquetas de SiC de gran diámetroNo sólo soporta mayores rendimientos de los dispositivos y un mejor rendimiento, sino que también permite unReducción de costes anual del 15% al 20%(según los datos de Yole), acelerando la comercialización de soluciones basadas en SiC.

 

Ventajas clave:

  • Eficiencia energética de las obleas de SiC de 12 pulgadas: los dispositivos basados en SiC reducen el consumo de energía en hasta un 70% en comparación con el silicio en aplicaciones de alto voltaje / corriente.
  • - ¿ Qué?Wafer de SiC de 12 pulgadasGestión térmica: funciona de manera estable a ** 200 °C+** en entornos automotrices y aeroespaciales.
  • Wafer de SiC de 12 pulgadasIntegración del sistema: permite un factor de forma del 50% al 80% más pequeño para los módulos de potencia, liberando espacio para componentes adicionales.

 


 

Compañía Introducción

 

Nuestra empresa, ZMSH, ha sido un jugador prominente en la industria de semiconductores durante más de una década, con un equipo profesional de expertos de fábrica y personal de ventas.Nos especializamos en proporcionar personalizadoOferta de zafiroyWafer de SiCsoluciones, incluidasWafers de SiC de 12 pulgadasyWaferas de SiC de 300 mm, para satisfacer las diversas necesidades de los clientes de los sectores de alta tecnología.productos de obleas de SiC de alta calidadcon precios competitivos y un rendimiento fiable.Nos comprometemos a garantizar la satisfacción del cliente en cada etapa y le invitamos a ponerse en contacto con nosotros para obtener más información o para discutir sus requisitos específicos.

 


 

Parámetros técnicos de las obleas de silicio

 

 

Parámetro- ¿ Qué? - ¿ Qué?Especificación- ¿ Qué? - ¿ Qué?Valor típico- ¿ Qué? - ¿ Qué?Las notas- ¿ Qué?
Diámetro Se aplicarán las siguientes medidas: Se aplicarán las siguientes medidas: Compatible con ASML, AMAT y herramientas epitaxiales
Tipo de cristal 6H-SiC (primario) / 4H-SiC - 6H domina las aplicaciones de alta frecuencia/alta tensión
Tipo de dopaje Tipo N/Tipo P Tipo N (1-5 mΩ·cm) Tipo P: 50-200 mΩ·cm (utilizaciones especializadas)
El grosor 1000 μm (estándar) 1020 μm Opciones de adelgazamiento hasta 100 μm (MEMS)
Calidad de la superficie Limpieza estándar de RCA ≤ 50 Å RMS Adecuado para el crecimiento epitaxial de MOCVD
Densidad de defectos Las condiciones de las pruebas de detección deben ser las siguientes: < 1.000 cm2 El recocido por láser reduce los defectos (rendimiento > 85%)

 

 

 


 

Aplicaciones de las obleas de SiC

 

1. Vehículos eléctricos- ¿ Qué?
Los dispositivos de potencia basados en SiC de 12 pulgadas revolucionan el diseño de vehículos eléctricos al abordarLas principales limitaciones del silicio:

  • - ¿ Qué?Mayor eficiencia: Permite un mayor alcance de conducción y una carga más rápida en condiciones extremas (por ejemplo, arquitecturas de 800 V).
  • - ¿ Qué?Estabilidad térmica: Funciona de forma fiable en entornos adversos (por ejemplo, sistemas de gestión del calor de las baterías).
  • - ¿ Qué?Optimización del espacio: Reduce el tamaño de los componentes hasta en un 50%, liberando espacio para sensores avanzados y sistemas de seguridad.

2Energía renovable- ¿ Qué?
La tecnología de 300 mm de SiC acelera la adopción deenergía solar y eólica:

  • - ¿ Qué?Inversores solares: mejora la eficiencia de la integración de la red, reduciendo las pérdidas de energía durante la conversión de energía.
  • - ¿ Qué?Turbinas eólicas: admite una mayor densidad de potencia en los sistemas offshore, reduciendo los costes de instalación por vatio.

35G y telecomunicaciones- ¿ Qué?
El SiC de 300 mm aborda los retos críticos enDesarrollo de las redes 5G:

  • - ¿ Qué?Operación de alta frecuencia: Permite la transmisión de datos ultra-rápidos (por ejemplo, bandas de mmWave) con pérdida mínima de señal.
  • - ¿ Qué?Eficiencia energética: Reduce el consumo de energía en las estaciones base hasta en un 40%, alineándose con los objetivos de sostenibilidad de los operadores de telecomunicaciones.

4Electrónica industrial y de consumo- ¿ Qué?
SiC impulsa la innovación en diversos sectores:

  • - ¿ Qué?Automatización industrial: Alimenta motores e inversores de alto voltaje en las fábricas, mejorando la productividad y la reutilización de la energía.
  • - ¿ Qué?Dispositivos de consumo: Permite cargadores compactos y de alto rendimiento y adaptadores de alimentación para portátiles y teléfonos inteligentes.

 

 


 

Presentación del producto - ZMSH

 

Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación    Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

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Wafer de SiCEn el caso de los- ¿ Qué?

 

P: ¿Cómo se compara el SiC de 12 pulgadas con el silicio en confiabilidad a largo plazo?

A: ¿Qué quieres decir?12 pulgadas La estabilidad a altas temperaturas y la resistencia a la radiación del SiC® lo hacen más duradero en ambientes hostiles (por ejemplo, vehículos eléctricos, aeroespacial).Apoyamos a los clientes con certificación AEC-Q101 y pruebas de envejecimiento aceleradas para garantizar el cumplimiento de estrictos estándares de fiabilidad.

 

- ¿ Qué?¿Cuáles son los principales desafíos en la adopción de la tecnología SiC en la actualidad?

A: ¿Qué quieres decir? Si bien el SiC ofrece un rendimiento superior, el coste y la madurez siguen siendo barreras para la adopción masiva.Las tendencias de la industria muestran reducciones anuales de costes del 15% al 20% (datos de Yole) y la creciente demanda de los fabricantes de automóviles y las energías renovables están acelerando la adopciónNuestras soluciones abordan estos desafíos a través de la producción a escala y la validación de fiabilidad comprobada.

 

P: ¿Puede el SiC integrarse con los sistemas existentes basados en silicio?

A: ¿Qué quieres decir?Sí! los dispositivos SiC utilizan empaques compatibles (por ejemplo, TO-247) y configuraciones de pines, lo que permite actualizaciones sin problemas.Se requieren diseños optimizados de accionamiento de puertas para aprovechar plenamente los beneficios de alta frecuencia de SiC.

Carro de la investigación 0