Sistemas de crecimiento de cristales Lely TSSG y LPE para la producción de carburo de silicio

Horno SiC: sistemas de crecimiento de cristales PVT, Lely, TSSG y LPE para la producción de carburo de silicio de alta calidad

Resumen del horno de crecimiento de cristal de carburo de silicio

Ofrecemos una gama completa deHornos para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC), incluidoPVT (Transporte físico de vapor),Lely (método de inducción), yTSSG/LPE (crecimiento de la fase líquida)las tecnologías.

El nuestroHornos de energía fotovoltaicaproporcionar cristales de SiC de alta calidad con un control preciso de la temperatura, ideal para semiconductores.Oficios de producción de electricidadutilizar el calentamiento por inducción electromagnética para el crecimiento de cristales de SiC de gran tamaño con una excelente uniformidad y mínimos defectos.Oficios de producción de energíaSe especializan en la producción de cristales de SiC ultra puros y capas epitaxiales para dispositivos de energía avanzada y optoelectrónica.

Apoyados por una automatización avanzada, sistemas de precisión y diseños robustos, nuestros hornos satisfacen diversas necesidades industriales y de investigación.soluciones de alto rendimiento para el crecimiento de cristales de SiC para apoyar aplicaciones de vanguardia en la fabricación de materiales de alta tecnología.

Propiedades del horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio

1Método PVT (transporte físico de vapor)

• Principio: Utiliza el calentamiento resistivo para sublimar el material de origen de SiC, que luego se condensa en un cristal de semilla para formar cristales de SiC.

• Aplicación: Principalmente para la producción de cristales simples de SiC de grado semiconductor.

• Ventajas:
  • Producción rentable.
  • Muy adecuado para el crecimiento de cristales a mediana escala.

• Características clave:
  • Emplean componentes de grafito de alta pureza como crisol y porta semillas.
  • Control de temperatura avanzado mediante termopares y sensores infrarrojos.
  • Los sistemas de vacío y de flujo de gas inerte aseguran una atmósfera controlada.
  • Los sistemas PLC automatizados mejoran la precisión y la repetibilidad.
  • Los sistemas integrados de refrigeración y tratamiento de gases residuales mantienen la estabilidad del proceso.

2Método Lely (calentamiento por inducción)

• Principio: Utiliza la inducción electromagnética de alta frecuencia para calentar el crisol y sublimar el polvo de SiC para el crecimiento del cristal.

• Aplicación: Ideal para el crecimiento de cristales de SiC de gran tamaño debido a la superior uniformidad de temperatura.

• Ventajas:
  • Alta eficiencia térmica y calefacción uniforme.
  • Reduce los defectos de cristal durante el crecimiento.

• Características clave:
  • Equipado con bobinas de inducción de cobre y crisollas recubiertas de SiC.
  • Cuenta con cámaras de vacío de alta temperatura para un funcionamiento estable.
  • Control preciso de la temperatura y el flujo de gas.
  • PLC y sistemas de monitoreo remoto para una automatización mejorada.
  • Sistemas de refrigeración y escape eficientes para garantizar la seguridad y la fiabilidad.

3. Método TSSG/LPE (crecimiento de la fase líquida)

• Principio: Disuelve el SiC en un metal fundido a alta temperatura y produce cristales mediante enfriamiento controlado (TSSG) o deposita capas de SiC en un sustrato (LPE).

• Aplicación: Produce cristales de SiC de ultra alta pureza y capas epitaxiales para energía y optoelectrónica.

• Ventajas:
  • Baja densidad de defectos y crecimiento de cristal de alta calidad.
  • Adecuado tanto para los cristales a granel como para la deposición de películas finas.

• Características clave:
  • Utiliza crisol compatibles con SiC (por ejemplo, grafito o tántalo).
  • Ofrece sistemas de calefacción precisos para temperaturas de hasta 2100°C.
  • Mecanismos de rotación/posicionamiento altamente controlados para un crecimiento uniforme.
  • Control automatizado del proceso y sistemas de refrigeración eficientes.
  • Adaptable a diversas aplicaciones, incluida la electrónica de alta potencia.

Las fotos del Horno de Crecimiento de Cristal de Carburo de Silicio

Nuestro servicio

1. Soluciones únicas a medida
   Proporcionamos soluciones de horno de carburo de silicio (SiC) personalizadas, incluyendo tecnologías PVT, Lely y TSSG/LPE, diseñadas para satisfacer sus necesidades específicas.Nos aseguramos de que nuestros sistemas se alineen con sus objetivos de producción.
    

2. Formación de los clientes
   Ofrecemos una formación integral para garantizar que su equipo entienda completamente cómo operar y mantener nuestros hornos.
    

3. Instalación in situ y puesta en marcha
   Nuestro equipo instalará y pondrá en marcha personalmente los hornos de SiC en su ubicación.
    

4. Apoyo postventa
   Nuestro equipo está listo para ayudar con las reparaciones en el sitio y la solución de problemas para minimizar el tiempo de inactividad y mantener su equipo funcionando sin problemas.
    

Nos dedicamos a ofrecer hornos de alta calidad y apoyo continuo para garantizar su éxito en el crecimiento de cristales de SiC.

Pregunta y respuesta

- ¿ Qué?¿Cuál es el método físico de transporte de vapor de la PVT?

A: ¿Qué quieres decir?ElTransporte físico de vapor (PVT)El método PVT es una técnica utilizada para el cultivo de cristales de alta calidad, especialmente para materiales como el carburo de silicio (SiC).un material sólido se calienta en un vacío o en un ambiente de baja presión para sublimarlo (convertirlo directamente de un sólido a un vapor), que luego viaja a través del sistema y se deposita como un cristal en un sustrato más frío.

- ¿ Qué?¿Cuál es el método de crecimiento de SiC?

A. No:Transporte físico de vapor (PVT)

El PVT consiste en calentar el material SiC en un vacío para vaporizarlo, y luego permitir que el vapor se deposite en un sustrato más frío.

Deposición química por vapor (CVD)

En la ECV, los precursores gaseosos como el silano y el propano se introducen en una cámara donde reaccionan para formar SiC en un sustrato.Método Lely (calentamiento por inducción)

El método de Lely utiliza el calentamiento por inducción para cultivar grandes cristales de SiC. El vapor del material de SiC calentado se condensa en un cristal de semilla.

Crecimiento de la solución (TSSG/LPE)

Este método consiste en cultivar SiC a partir de una solución fundida. Produce cristales ultra puros y capas epitaxiales, ideales para dispositivos de alto rendimiento.