Wafers de carburo de silicio 3C-N Tipo 5*5 10*10mm Pulgadas Diámetro espesor 350 μm±25 μm

Wafers de carburo de silicio tipo 3C-N de 5*5 y 10*10 mm de diámetro de pulgada, grosor 350 μm±25 μm

Las hojas de carburo de silicio del tipo 3C-N

Este resumen presenta las obleas de tipo 3C-N de carburo de silicio (SiC), disponibles en tamaños de 5x5 mm y 10x10 mm con un grosor de 350 μm ± 25 μm.Estas obleas están diseñadas para satisfacer las necesidades precisas de aplicaciones de alto rendimiento en optoelectrónicaCon su conductividad térmica superior, resistencia mecánica y propiedades eléctricas, las obleas SiC 3C-N ofrecen una mayor durabilidad y disipación de calor.haciendo que sean ideales para dispositivos que requieren una alta estabilidad térmica y una gestión eficiente de la energíaLas dimensiones y el grosor especificados aseguran la compatibilidad en una amplia gama de aplicaciones industriales y de investigación avanzadas.

Muestra de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Propiedades y gráfico de datos de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Tipo de material: Carburo de silicio 3C-N (SiC)

Esta forma cristalina ofrece excelentes propiedades mecánicas y térmicas, adecuadas para aplicaciones de alto rendimiento.

Tamaño:

Disponible en dos tamaños estándar: 5x5mm y 10x10mm.

El grosor:

espesor: 350 μm ± 25 μm

El espesor controlado con precisión garantiza la estabilidad mecánica y la compatibilidad con diversos requisitos del dispositivo.

Conductividad térmica:

El SiC presenta una conductividad térmica superior, lo que permite una disipación de calor eficiente, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren gestión térmica, como lentes AR y electrónica de potencia.

Fuerza mecánica:

SiC tiene una alta dureza y resistencia mecánica, proporcionando durabilidad y resistencia al desgaste y la deformación, esenciales para entornos exigentes.

Propiedades eléctricas:

Las obleas de SiC poseen un alto voltaje de ruptura eléctrica y una baja expansión térmica, que son cruciales para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.

Claridad óptica:

El SiC tiene una excelente transparencia en ciertas longitudes de onda ópticas, lo que lo hace adecuado para su uso en tecnologías optoelectrónicas y AR.

Alta estabilidad:

La resistencia del SiC al estrés térmico y químico garantiza su fiabilidad a largo plazo en condiciones adversas.

Estas propiedades hacen que las obleas de tipo SiC 3C-N sean muy versátiles para su uso en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados, así como en tecnologías AR de próxima generación.

5*5 & 10*10En el caso de los ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ ¡ Seco 晶片产品标准 (producto de las placas de cristal)

5*5 & 10*10 mm pulgadas Diámetro Sílicecon Carburo (SiC)

Las notas:

※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.

Aplicaciones de las obleas de carburo de silicio tipo 3C-N

Las obleas de carburo de silicio (SiC), específicamente tipo 3C-N, son una variante de SiC que posee características únicas debido a su estructura cristalina cúbica (3C-SiC).Estas obleas se utilizan principalmente en varias aplicaciones de alto rendimiento y especializadas debido a sus excelentes propiedadesAlgunas aplicaciones clave de las obleas de SiC tipo 3C-N incluyen:

1.Electrónica de potencia

• Dispositivos de alta tensión: Las obleas de SiC son ideales para fabricar dispositivos de energía como MOSFET, diodos Schottky e IGBT. Estos dispositivos se utilizan en entornos de alto voltaje y alta temperatura,como los vehículos eléctricos (VE), vehículos eléctricos híbridos (VEH) y sistemas de energía renovable (como inversores solares).
• Conversión eficiente de energía: El SiC permite una mayor eficiencia y una reducción de las pérdidas de energía en los sistemas de conversión de potencia, como los convertidores de CC-CC y los motores motrices.

2.Dispositivos de alta frecuencia

• Aplicaciones de RF: El 3C-SiC es adecuado para aplicaciones de RF y microondas, incluidos los sistemas de radar, las comunicaciones por satélite y la tecnología 5G debido a su alta movilidad de electrones.
• Los demás aparatos para la fabricación de la siguiente clase:: Los dispositivos que operan en el rango de frecuencias de GHz se benefician de la baja disipación de energía y la alta estabilidad térmica del 3C-SiC.

3.Sensores de altas temperaturas y ambientes hostiles

• Sensores de temperatura: Las obleas de SiC se pueden usar en dispositivos para entornos de temperatura extrema, como procesos aeroespaciales, automotrices e industriales.
• Sensores de presión: El 3C-SiC se utiliza en sensores de presión que deben operar en entornos extremos como la exploración en aguas profundas o cámaras de alto vacío.
• Sensores químicos: 3C-N SiC es químicamente inerte, por lo que es útil en sensores de gases o químicos para el monitoreo en entornos corrosivos.

4.LED y optoelectrónica

• LED azul y UV: El amplio intervalo de banda del 3C-SiC lo hace ideal para fabricar diodos emisores de luz azul y ultravioleta (LED), utilizados en tecnologías de visualización, almacenamiento de datos (Blu-ray) y procesos de esterilización.
• Los demás aparatos fotodetectores: Las obleas de SiC se pueden usar en fotodetectores ultravioleta (UV) para varias aplicaciones, incluida la detección de llamas, el monitoreo ambiental y la astronomía.

5.Computación cuántica e investigación

• Dispositivos cuánticos: El 3C-SiC se explora en la computación cuántica para desarrollar espíntrónica y otros dispositivos basados en cuánticos debido a sus propiedades de defecto únicas que permiten el almacenamiento y procesamiento de información cuántica.
• Investigación de materiales: Como el 3C-SiC es un politipo de SiC relativamente menos común, se utiliza en la investigación para explorar sus ventajas potenciales sobre otros tipos de SiC (como 4H-SiC o 6H-SiC).

6.Aeroespacial y Defensa

• Electrónica para ambientes hostiles: Los dispositivos SiC son cruciales en las industrias aeroespacial y de defensa para aplicaciones como módulos de potencia, sistemas de radar y comunicaciones por satélite, donde las condiciones extremas y la fiabilidad son clave.
• Productos electrónicos resistentes: La capacidad del SiC para soportar altos niveles de radiación lo hace ideal para su uso en misiones espaciales y hardware militar.

En resumen, las obleas de SiC tipo 3C-N se utilizan principalmente en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia, sensores para ambientes hostiles, optoelectrónica, dispositivos cuánticos y aplicaciones aeroespaciales,donde sus propiedades únicas tales como banda ancha, la estabilidad térmica y la alta movilidad de los electrones proporcionan ventajas significativas sobre los materiales tradicionales a base de silicio.

Pregunta y respuesta

¿Qué es el carburo de silicio 3C?

Carburo de silicio 3C (3C-SiC)es uno de los politipos de carburo de silicio, caracterizado por su estructura cristalina cúbica, que lo distingue de las formas hexagonales más comunes como 4H-SiC y 6H-SiC.La red cúbica de 3C-SiC ofrece varios beneficios notables.

En primer lugar, las exposiciones de 3C-SiCmayor movilidad de electronesEn la actualidad, la tecnología de alta frecuencia es una tecnología muy avanzada, lo que la hace ventajosa para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y potencia, especialmente en aplicaciones que requieren conmutación rápida.bandagapes menor (alrededor de 2,36 eV) en comparación con otros politipos de SiC, todavía funciona bien en entornos de alto voltaje y alta potencia.

Además, el 3C-SiC mantiene laalta conductividad térmicayresistencia mecánicaEl carburo de silicio tiene una gran capacidad de producción, que le permite funcionar en condiciones extremas, como en ambientes de alta temperatura y de alto estrés.transparencia óptica, por lo que es adecuado para aplicaciones optoelectrónicas como LED y fotodetectores.

Como resultado, el 3C-SiC es ampliamente utilizado enelectrónica de potencia,dispositivos de alta frecuencia,Optoelectrónica, ysensores, especialmente en escenarios de alta temperatura y alta frecuencia, donde sus propiedades únicas ofrecen ventajas significativas.