InP DFB Epiwafer longitud de onda 1390nm Substrato InP 2 4 6 pulgadas para el diodo láser DFB 2.5 ~ 25G

InP DFB Epiwafer longitud de onda 1390nm Substrato InP 2 4 6 pulgadas para el diodo láser DFB 2.5 ~ 25G

InP DFB Epiwafer Información del sustrato InP

InP DFB Epiwafers diseñados para aplicaciones de longitud de onda de 1390 nm son componentes críticos utilizados en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, particularmente para 2.Diodos láser de 5 Gbps a 25 Gbps DFB (retroalimentación distribuida)Estas obleas se cultivan en sustratos de fosfuro de indio (InP) utilizando técnicas avanzadas de deposición de vapor químico metálico-orgánico (MOCVD) para lograr capas epitaxiales de alta calidad.

La región activa del láser DFB generalmente se fabrica utilizando pozos cuánticos múltiples cuaternarios InGaAlAs o InGaAsP (MQW), que están diseñados para ser compensados por tensión.Esto garantiza un rendimiento y una estabilidad óptimos para la transmisión de datos de alta velocidadLas obleas están disponibles en varios tamaños de sustrato, incluidos 2 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas, para satisfacer diversas necesidades de fabricación.

La longitud de onda de 1390 nm es ideal para sistemas de comunicación óptica que requieren una salida precisa de un solo modo con baja dispersión y pérdida,que lo hace especialmente adecuado para redes de comunicación de mediano alcance y aplicaciones de detecciónLos clientes pueden encargarse ellos mismos de la formación de la rejilla o solicitar servicios de epihouse, incluido el re-crecimiento para una mayor personalización.

Estos epiwafers están diseñados específicamente para satisfacer las demandas de los sistemas modernos de telecomunicaciones y comunicación de datos, proporcionando eficiencia,soluciones de alto rendimiento para transceptores ópticos y módulos láser en redes de alta velocidad.

InP DFB Epiwafer La estructura del sustrato InP

Resultado del ensayo de mapeo PL del sustrato InP DFB Epiwafer

Resultado del ensayo XRD y ECV del sustrato InP del Epiwafer DFB

InP DFB Epiwafer Las fotos reales del sustrato InP

InP DFB propiedades del sustrato de Epiwafer InP

Propiedades del Epiwafer DFB InP en el sustrato InP

Material del sustrato: fosfuro de indio (InP)

• Compatibilidad de la rejilla: InP proporciona una excelente compatibilidad de la red con capas epitaxiales como InGaAsP o InGaAlAs, lo que garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad con una tensión y defectos mínimos,que es crucial para el rendimiento de los láseres DFB.
• Bandgap directo: InP tiene un intervalo de banda directo de 1,344 eV, lo que lo hace ideal para emitir luz en el espectro infrarrojo, particularmente a longitudes de onda como 1,3 μm y 1,55 μm, comúnmente utilizadas en la comunicación óptica.

Capas epitaxiales

• Región activa: La región activa se compone típicamente de pozos cuánticos múltiples cuaternarios (MQW) de InGaAsP o InGaAlAs. Estos MQW se compensan por tensión para mejorar el rendimiento,asegurando una recombinación eficiente entre electrones y agujeros y una alta ganancia óptica.
• Capas de revestimiento: Estas capas proporcionan confinamiento óptico, asegurando que la luz permanezca dentro de la región activa, mejorando la eficiencia del láser.
• Capa de rejilla: La estructura de rejilla integrada proporciona retroalimentación para el funcionamiento en modo único, garantizando una emisión estable y de ancho de línea estrecho.La rejilla puede ser fabricada por el cliente o ofrecida por el proveedor del epiwafer.

Largura de onda de funcionamiento:

• 1390 nm: El láser DFB está optimizado para funcionar a 1390 nm, lo que es adecuado para aplicaciones en comunicación óptica, incluidas redes de metro y de larga distancia.

Capacidad de modulación de alta velocidad:

• El epiwafer está diseñado para su uso en láseres DFB que admiten velocidades de transmisión de datos de 2,5 Gbps a 25 Gbps, lo que lo hace ideal para sistemas de comunicación óptica de alta velocidad.

Estabilidad a temperatura:

• Los epiwafers DFB basados en InP proporcionan una excelente estabilidad de temperatura, asegurando una emisión de longitud de onda constante y un rendimiento confiable en diferentes entornos operativos.

Modo único y ancho de línea estrecho:

• Los láseres DFB ofrecen un funcionamiento de modo único con un ancho de línea espectral estrecho, reduciendo la interferencia de la señal y mejorando la integridad de la transmisión de datos, lo cual es esencial para las redes de comunicación de alta velocidad.

El Epiwafer DFB InP en un sustrato InP proporciona una excelente compatibilidad de red, capacidad de modulación de alta velocidad, estabilidad de temperatura y funcionamiento preciso en un solo modo,lo que lo convierte en un componente clave en los sistemas de comunicación óptica que operan a 1390nm para velocidades de datos de 2.5 Gbps a los 25 Gbps.

Hoja de datos

Más datos están en nuestro documento PDF, por favor haga clic en élZMSH DFB inp epiwafer.pdf