SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

COMERCIO FAMOSO CO., LTD DE SHANGAI

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
7 Años
Casa / Productos / Semiconductor Substrate / FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje /

show pictures

Contacta
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Visita el sitio web
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:MrWang
Contacta

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pulgadas espesor 350-650um InGaAs Dopaje
Productos detallados
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP sustrato dia 2 3 4 6 pulgadas de espesor:350-650um InGaAs doping FP ((Fabry-Perot)) Abstracto del sustrato de Epiwafer ...
Ver productos detallados →