ancho de banda del sustrato N-InP 02:2Wafer epi de 1270 nm de longitud de onda.5G para el diodo láser FP
El substrato N-InP del FP Epiwafer
Nuestro N-InP Substrate FP Epiwafer es una oblea epitaxial de alto rendimiento diseñada para la fabricación de diodos láser Fabry-Pérot (FP), específicamente optimizados para aplicaciones de comunicación óptica.Este Epiwafer tiene un sustrato de fosfuro de indio de tipo N (N-InP), un material reconocido por sus excelentes propiedades electrónicas y optoelectrónicas, lo que lo hace ideal para dispositivos de alta velocidad y alta frecuencia.
El Epiwafer está diseñado para producir diodos láser que operan a una longitud de onda de 1270 nm,que es una longitud de onda crítica para sistemas de multiplexado por división de longitud de onda gruesa (CWDM) en comunicaciones de fibra ópticaEl control preciso de la composición y del espesor de la capa epitaxial garantiza un rendimiento óptimo, con el diodo láser FP capaz de alcanzar un ancho de banda operativo de hasta 2,5 GHz.Este ancho de banda hace que el dispositivo sea adecuado para la transmisión de datos de alta velocidad, para soportar aplicaciones que requieren una comunicación rápida y fiable.
La estructura de la cavidad de Fabry-Pérot (FP) del diodo láser, facilitada por las capas epitaxiales de alta calidad en el sustrato InP,garantiza la generación de luz coherente con un ruido mínimo y una alta eficienciaEste Epiwafer está diseñado para ofrecer un rendimiento consistente y fiable, lo que lo convierte en una excelente opción para los fabricantes que buscan producir diodos láser de vanguardia para telecomunicaciones,centros de datos, y otros entornos de red de alta velocidad.
En resumen, nuestro N-InP Substrate FP Epiwafer es un componente crítico para los sistemas de comunicación óptica avanzada, ofreciendo excelentes propiedades de material, precisión de longitud de onda,y ancho de banda operativo elevadoProporciona una base sólida para la producción de diodos láser FP que satisfagan las exigencias de las redes de comunicación de alta velocidad modernas.
Las propiedades del sustrato N-InP FP Epiwafer
The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsA continuación se presentan las propiedades clave de este Epiwafer:
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Material del sustrato:
- El tipo: Fosfuro de indio de tipo N (N-InP)
- Propiedades: Alta movilidad electrónica, baja resistividad y excelente conductividad térmica, lo que lo hace adecuado para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas de alta velocidad.
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Capa epitaxial:
- Técnica de crecimiento: Las capas epitaxiales se cultivan en el sustrato N-InP utilizando técnicas como la deposición de vapor químico metálico-orgánico (MOCVD) o la epitaxia molecular por haz (MBE).
- Composición de las capas: Control preciso de la concentración de dopaje y la composición del material para lograr las propiedades electrónicas y ópticas deseadas.
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longitud de onda:
- longitud de onda objetivo: 1270 nm
- Aplicación: Ideal para el multiplexado de división de longitud de onda gruesa (CWDM) en sistemas de comunicación de fibra óptica.
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Ancho de banda:
- Ancho de banda operativo: hasta 2,5 GHz
- Desempeño: Apto para la transmisión de datos de alta velocidad, garantizando un rendimiento fiable en telecomunicaciones y redes de datos.
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Cavidad de Fabry-Pérot:
- Estructura: El Epiwafer apoya la formación de una cavidad de Fabry-Pérot, esencial para generar luz coherente con alta eficiencia.
- Propiedades del láser: Produce diodos láser con ruido mínimo, emisión de longitud de onda estable y alta potencia de salida.
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Calidad de la superficie:
- Pulido: La superficie del sustrato está altamente pulida para minimizar los defectos, lo que garantiza una capa epitaxial de alta calidad con dislocaciones mínimas.
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Propiedades térmicas:
- Disposición de calor: La excelente conductividad térmica del sustrato N-InP permite una disipación de calor eficaz, crucial para mantener el rendimiento y la longevidad del diodo láser.
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Aplicación adecuada:
- Dispositivos objetivo: Diseñado para diodos láser FP utilizados en sistemas de comunicación óptica, centros de datos y otros entornos de red de alta velocidad.
Estas propiedades contribuyen colectivamente a la capacidad del Epiwafer para apoyar la producción de diodos láser FP de alta calidad,satisfacer las exigencias rigurosas de las tecnologías de comunicación óptica modernas.
Las aplicaciones del substrato N-InP FP Epiwafer
El N-InP Substrate FP Epiwafer es un componente crítico en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos avanzados, particularmente los diodos láser Fabry-Pérot (FP).Sus propiedades lo hacen adecuado para una amplia gama de aplicaciones en comunicaciones de alta velocidad y campos relacionadosEstas son las aplicaciones principales:
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Sistemas de comunicación óptica:
- Transmisión por fibra óptica: El Epiwafer es ideal para la fabricación de diodos láser FP que operan a la longitud de onda de 1270 nm, comúnmente utilizados en sistemas de multiplexación por división de longitud de onda gruesa (CWDM).Estos sistemas dependen de un control preciso de la longitud de onda para transmitir múltiples canales de datos a través de una sola fibra, aumentando el ancho de banda sin necesidad de fibras adicionales.
- Enlaces de datos de alta velocidad: La oblea soporta diodos láser con un ancho de banda operativo de hasta 2,5 GHz, por lo que es adecuada para aplicaciones de transmisión de datos de alta velocidad,incluidas las redes de área metropolitana (MAN) y las redes ópticas de larga distancia.
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Centros de datos:
- Interconexiones: Los diodos láser FP fabricados a partir de este Epiwafer se utilizan en interconexiones ópticas dentro de los centros de datos, donde la comunicación de alta velocidad y baja latencia es crucial.Estos láseres aseguran una transferencia de datos eficiente entre servidores., sistemas de almacenamiento y equipos de red.
- Infraestructura de computación en la nube: A medida que los servicios en la nube demandan velocidades de datos cada vez mayores, los diodos láser FP ayudan a mantener el rendimiento y la fiabilidad de las redes de centros de datos, apoyandoentornos de computación distribuidos.
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Las telecomunicaciones:
- Las redes 5G: El Epiwafer se utiliza en la producción de diodos láser para la infraestructura de telecomunicaciones 5G, donde se necesitan altas velocidades de datos y conexiones fiables.Los diodos láser FP proporcionan las señales ópticas necesarias para transmitir datos a través de la red de 5G.
- FTTx (Fibra en el x): Esta tecnología implica el despliegue de redes de fibra óptica más cerca de los usuarios finales (hogares, empresas), y los diodos láser FP son componentes clave en los transmisores ópticos utilizados en los sistemas FTTx.
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Equipo de ensayo y medición:
- Analisadores de espectro óptico: Los diodos láser FP producidos a partir de este Epiwafer se utilizan en analizadores de espectro óptico, que son herramientas esenciales para probar y medir el rendimiento de los sistemas de comunicación óptica.
- Tomografía de coherencia óptica (OCT): En la imagenología médica, en particular en los sistemas OCT, los diodos láser FP ofrecen la fuente de luz necesaria para la imagenología de tejidos biológicos de alta resolución.
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Sensores y metrología:
- Sensores ópticos: La precisión y la estabilidad de los diodos láser FP los hacen adecuados para su uso en sensores ópticos para monitoreo ambiental, control de procesos industriales y aplicaciones biomédicas.
- Sistemas de distancia y posicionamiento: Los diodos láser FP también se utilizan en sistemas que requieren mediciones precisas de distancia, como el LIDAR (Light Detection and Ranging) y otras tecnologías de posicionamiento.
La versatilidad y las características de alto rendimiento del N-InP Substrate FP Epiwafer® lo convierten en una piedra angular para una amplia gama de tecnologías de vanguardia en comunicaciones ópticas, centros de datos,las telecomunicaciones, y más allá.
Las fotos del sustrato N-InP FP Epiwafer
