SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMERCIO FAMOSO CO., LTD DE SHANGAI
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8 pulgadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 tipo N tipo P tipo de personalización semiconductor RF LED
Las obleas CMOS GaN-on-Si MMIC y Si CMOS de 8 pulgadas de diámetro (arriba, izquierda) están integradas en 3D en la escala de la oblea.El sustrato de Si de la oblea de silicio sobre aislante se elimina completamente por molienda y grabado húmedo selectivo para detenerse en el óxido enterrado (BOX)Las vías en la parte posterior de CMOS y en la parte superior de los circuitos GaN están grabadas por separado e interconectadas con un metal superior.La integración vertical minimiza el tamaño del chip y reduce la distancia de interconexión para reducir la pérdida y el retrasoAdemás del enfoque de enlace óxido-óxido, se está trabajando para ampliar las capacidades del enfoque de integración 3D mediante el uso de interconexiones de enlace híbrido,que permitiría conexiones eléctricas directas entre las dos obleas sin vías separadas a los circuitos GaN y CMOS.
Alta uniformidad
Corriente de baja fuga
Temperaturas de funcionamiento más altas
Excelencia en las características de 2DEG
Válvulas de encendido de alta tensión (600V-1200V)
Resistencia de encendido inferior
Frecuencias de conmutación más altas
Frecuencias de funcionamiento más altas (hasta 18 GHz)
Proceso compatible con CMOS para los MMIC GaN-on-Si
El uso de un sustrato de Si de 200 mm de diámetro y herramientas CMOS reduce los costos y aumenta el rendimiento
Integración 3D a escala de obleas de GaN MMICs con CMOS para mejorar las funcionalidades con mejores beneficios de tamaño, peso y potencia
La forma de las obleas de GaN-on-Si:
| Sección 1 | Nitruro de galio en oblea de silicio, GaN en oblea de silicio |
| Película fina de GaN | 0Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Orientación GaN | Planos C (0001) |
| La cara de Ga. | < 1 nm, en estado de crecimiento, preparado para EPI |
| Caras en N | Tipo P/Dopaje B |
| Polaridad | La cara de Ga. |
| Tipo de conductividad | No dopado/tipo N |
| Densidad de macro defectos | < 5 cm^2 |
| Substrato de obleas de silicio | |
| Orientación | El valor de las emisiones de CO2 |
| Tipo de conductividad | Se aplicará el método de medición de los efectos secundarios de la prueba. |
| Dimensión: | 10 x 10 x 0.5 mm 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas |
| Resistencia | Las demás, de una longitud superior o igual a 1 m |
La fotografía física de las obleas de GaN-on-Si:
Aplicación de las obleas de GaN sobre Si:
1Iluminación: los sustratos de GaN-on-Si se utilizan en la fabricación de diodos emisores de luz (LED) de alta luminosidad para diversas aplicaciones, como iluminación general, iluminación automotriz,Iluminación de fondo para pantallasLos LEDs GaN son eficientes energéticamente y duraderos.
2Electrónica de potencia: Los sustratos GaN-on-Si se utilizan en la producción de dispositivos electrónicos de potencia como transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) y diodos Schottky.Estos dispositivos se emplean en fuentes de alimentación, inversores y convertidores debido a su alta eficiencia y velocidades de conmutación rápidas.
3Comunicación inalámbrica: Los sustratos de GaN-on-Si se utilizan en el desarrollo de dispositivos RF de alta frecuencia y alta potencia para sistemas de comunicación inalámbrica como sistemas de radar, comunicación por satélite,y estaciones baseLos dispositivos GaN RF ofrecen una alta densidad de potencia y eficiencia.
4. Automotriz: los sustratos de GaN-on-Si se utilizan cada vez más en la industria automotriz para aplicaciones tales como cargadores integrados, convertidores CC-DC y motores debido a su alta densidad de potencia,eficiencia y confiabilidad.
5Energía solar: los sustratos de GaN-on-Si pueden utilizarse en la producción de células solares.donde su alta eficiencia y resistencia a los daños por radiación pueden ser ventajosas para aplicaciones espaciales y fotovoltaicas concentradas.
6Sensores: Los sustratos de GaN-on-Si pueden utilizarse en el desarrollo de sensores para diversas aplicaciones, incluidos sensores de gases, sensores UV y sensores de presión.debido a su alta sensibilidad y estabilidad.
7Biomédica: Los sustratos GaN-on-Si tienen aplicaciones potenciales en dispositivos biomédicos para detección, imágenes y terapia debido a su biocompatibilidad, estabilidad,y capacidad para operar en ambientes adversos.
8Electrónica de consumo: Los sustratos GaN-on-Si se utilizan en productos electrónicos de consumo para varias aplicaciones como carga inalámbrica, adaptadores de alimentación,y circuitos de alta frecuencia debido a su alta eficiencia y tamaño compacto.
Imagen de aplicación de las obleas de GaN sobre Si:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es el proceso de GaN en el silicio?
R: Tecnología de apilamiento 3D. Al separarse, la oblea donante de silicio se divide a lo largo de un plano de cristal debilitado y, por lo tanto, deja una fina capa de material de canal de silicio en la oblea GaN.Este canal de silicio se procesa luego en transistores PMOS de silicio en la oblea GaN.
2P: ¿Cuáles son las ventajas del nitruro de galio sobre el silicio?
R: El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor muy duro, mecánicamente estable, binario III/V de banda directa.mayor conductividad térmica y menor resistencia de encendido, los dispositivos de potencia basados en GaN superan significativamente a los dispositivos basados en silicio.
Recomendación del producto:
2.2 pulgadas 4 pulgadas de pie libre GaN Gallium Nitride Wafer