Tipo 4H N Wafer SiC de tipo semitípico Wafer SiC de 6 pulgadas 12 pulgadas Substrato SiC)) 0001) Doble lado pulido Ra≤1 nm Personalización

4H N tipo Wafer SiC de tipo semi 6inch ((0001) Doble lado pulido Ra≤1 nm Personalización

Descripción de una oblea de SiC de 12 pulgadas 4H de tipo N de tipo semi-SiC:

12 pulgadas 6 pulgadas de obleas de SiC de carburo de silicio (SiC) las obleas y sustratos son materiales especializados utilizados en la tecnología de semiconductores hechos de carburo de silicio,un compuesto conocido por su alta conductividad térmicaExcepcionalmente duras y ligeras, las obleas y sustratos de SiC proporcionan una base sólida para la fabricacióndispositivos electrónicos de alta frecuencia, tales como componentes electrónicos de potencia y de radiofrecuencia.

El carácter de 12 pulgadas 6 pulgadas de Wafer SiC 4H tipo N tipo Semi Wafer SiC:

1.12 pulgadas 6 pulgadas de obleas de SiCResistencia a alta tensión: la oblea de SiC tiene más de 10 veces la resistencia del campo de descomposición en comparación con el material de Si.Esto permite alcanzar voltajes de ruptura más altos a través de una menor resistividad y capas de deriva más finasPara la misma resistencia de voltaje, la resistencia/tamaño en estado de los módulos de potencia de obleas de SiC es sólo 1/10 de Si, lo que conduce a pérdidas de potencia significativamente reducidas.
2.12 pulgadas 6 pulgadas de obleas de SiCResistencia a altas frecuencias: la oblea de SiC no presenta el fenómeno de corriente de cola, lo que mejora la velocidad de conmutación de los dispositivos.lo que lo hace adecuado para frecuencias más altas y velocidades de conmutación más rápidas.
3.12 pulgadas 6 pulgadas de obleas de SiCResistencia a altas temperaturas: el ancho de banda de la oblea de SiC ((~ 3.2 eV) es tres veces mayor que el de Si, lo que resulta en una conductividad más fuerte.y la velocidad de saturación de electrones es 2-3 veces la de Si, que permite un aumento de 10 veces en la frecuencia de funcionamiento, con un punto de fusión alto (2830°C, aproximadamente el doble que el de Si a 1410°C),Los dispositivos de obleas de SiC mejoran significativamente la temperatura de funcionamiento mientras reducen las fugas de corriente.

Forma de una oblea de SiC de 12 pulgadas y 6 pulgadas de tipo 4H tipo N oblea de SiC de tipo semi:

Fotografía física de una oblea SiC de 12 pulgadas y 6 pulgadas de tipo N de tipo 4H de tipo Semi-SiC:

Aplicación de una oblea SiC de tipo N de 12 pulgadas y 6 pulgadas y 4 pulgadas:

• Dispositivo de epitaxia de GaN

• Dispositivo optoelectrónico

• Dispositivo de alta frecuencia

• Dispositivo de alta potencia

• Dispositivo de alta temperatura

• Diodos emisores de luz

Imagen de aplicación de una oblea de SiC de tipo N de 12 pulgadas, 6 pulgadas y 4 pulgadas:

Personalización:

Nuestros servicios de personalización de productos le permiten adaptar la oblea de carburo de silicio a sus necesidades específicas.Podemos ajustar la capa de carburo de silicio para satisfacer sus requisitos de conductividad y proporcionar una oblea de carburo de silicio que cumple con sus especificaciones exactasPóngase en contacto con nosotros hoy para obtener más información sobre nuestros servicios de personalización de productos.

Pregunta y respuesta:

P: ¿Qué tamaño tienen las obleas de SiC?
R: Nuestros diámetros de obleas estándar varían de 25,4 mm (1 pulgada) a 300 mm (11,8 pulgadas) de tamaño;Las obleas pueden producirse en diferentes espesores y orientaciones con lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes.
P: ¿Por qué?Seco¿Las obleas caras?
R:El proceso de sublimación para producir SiC requiere una energía significativa para alcanzar 2.200 ̊C, mientras que la bola final utilizable no es más de 25 mm de largo y los tiempos de crecimiento son muy largos
P: ¿Cómo se hace una oblea de SiC? R: El proceso consiste en convertir materias primas como la arena de sílice en silicio puro.el corte de los cristales en trozos delgados, discos planos, y la limpieza y preparación de las obleas para su uso en dispositivos de semiconductores.

Recomendación del producto:

1.Wafer de carburo de silicio SIC 4H - N Tipo para dispositivo MOS 2 pulgadas Dia50.6mm
 


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