4H N Tipo Semi Tipo Wafer SiC de 4 pulgadas DSP Producción Investigación Personalización de calibre ficticio

Descripción del producto:

La oblea de carburo de silicio se utiliza principalmente en la producción de diodos Schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico, transistores de efecto de campo de unión, transistores de unión bipolar,Los demásLa oblea de carburo de silicio tiene alta/baja resistividad, asegurando el rendimiento que necesitas.sin importar los requisitos de su solicitudSi usted está trabajando con la electrónica de alta potencia o sensores de baja potencia, nuestra oblea está a la altura de la tarea.Así que si usted está buscando una oblea de carburo de silicio de alta calidad que ofrece un rendimiento excepcional y fiabilidadGarantizamos que no se sentirá decepcionado por su calidad o rendimiento.

Personaje:

1. Fuerte estabilidad a altas temperaturas: las obleas de carburo de silicio presentan una conductividad térmica y una inertad química extremadamente altas,que les permite mantener la estabilidad en ambientes de alta temperatura sin experimentar fácilmente expansión térmica y deformación.
2Alta resistencia mecánica: las obleas de carburo de silicio tienen una alta rigidez y dureza, lo que les permite soportar altas tensiones y cargas pesadas.
3Excelentes propiedades eléctricas: las obleas de carburo de silicio tienen propiedades eléctricas superiores en comparación con los materiales de silicio, con una alta conductividad eléctrica y movilidad electrónica.
4- Excelente rendimiento óptico: las obleas de carburo de silicio poseen una buena transparencia y una fuerte resistencia a la radiación.

Crecimiento de cristal único de carburo de silicio:

1Inversores, convertidores CC-DC y cargadores a bordo para vehículos eléctricos: estas aplicaciones requieren un gran número de módulos de potencia.Los dispositivos de carburo de silicio aumentan significativamente la autonomía y reducen el tiempo de carga de los vehículos eléctricos.
2Dispositivos de potencia de carburo de silicio para aplicaciones de energía renovable: Los dispositivos de potencia de carburo de silicio utilizados en inversores para aplicaciones de energía solar y eólica mejoran la utilización de energía.Proporcionar soluciones más eficientes para alcanzar el pico de carbono y la neutralidad de carbono.
3. Aplicaciones de alto voltaje como ferrocarriles de alta velocidad, sistemas de metro y redes eléctricas: los sistemas en estos campos exigen tolerancia a alto voltaje, seguridad y eficiencia operativa.Los dispositivos de potencia basados en la epitaxia de carburo de silicio son la opción óptima para las aplicaciones antes mencionadas.
4Dispositivos RF de alta potencia para la comunicación 5G: Estos dispositivos para el sector de la comunicación 5G requieren sustratos con alta conductividad térmica y propiedades de aislamiento.Esto facilita la realización de estructuras epitaxiales GaN superiores.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H-SiC y SiC?
R: El carburo de silicio 4H (4H-SiC) se destaca como un politipo superior de SiC debido a su amplio intervalo de banda, excelente estabilidad térmica y notables características eléctricas y mecánicas.

P: ¿Cuándo se debe utilizar el SiC?
R: Si quieres citar a alguien o algo en tu trabajo, y notas que el material de origen contiene un error ortográfico o gramatical,Usas sic para indicar el error colocándolo justo después del error.

P: ¿Por qué 4H SiC?
R: El 4H-SiC es preferido al 6H-SiC para la mayoría de las aplicaciones electrónicas porque tiene una movilidad de electrones más alta y más isotrópica que el 6H-SiC.