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Cuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiC

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Cuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiC

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Number modelo :1x1x0.5mmt
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :500PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1-50000000pcs/month
Plazo de expedición :3 semanas
Detalles de empaquetado :solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Material :Tipo cristalino sic solo 4H-N
Grado :Grado cero, de la investigación, y de Dunmy
Thicnkss :0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5
Uso :Nuevos vehículos de la energía
Diámetro :2-8inch o 1x1x0.5mmt, 1x1x0.3mmt:
color :Té o transpraent verde
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Wafer de carburo de silicio óptico 1/2/3 pulgadas Wafer SIC para la venta Sic Plate Wafer de silicio de orientación plana Empresas para la venta 4 pulgadas 6 pulgadas semilla wafer sic 1.0mm espesor 4h-N SIC Wafer de carburo de silicio para el crecimiento de semillas 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm pulida Silicon Carbide sic chips de sustrato Wafer

Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal

El carburo de silicio (SiC), o carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con la fórmula química SiC.de alta tensiónSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.

1Descripción.
Propiedad
4H-SiC, cristal único
6H-SiC, cristal único
Parámetros de la red
a=3,076 Å c=10,053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
Secuencia de apilamiento
El ABCB
El ABCACB
Dureza de Mohs
≈9.2
≈9.2
Densidad
3.21 g/cm3
3.21 g/cm3
Coeficiente de expansión térmica
4 a 5 × 10 a 6/K
4 a 5 × 10 a 6/K
Indice de refracción @750nm
no = 2.61
n = 2.66
no = 2.60
n = 2.65
Constante dieléctrica
C ~ 9.66
C ~ 9.66
Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)
a ~ 4,2 W/cm·K@298K
C ~ 3,7 W/cm·K@298K
Conductividad térmica (semi-aislante)
a ~ 4,9 W/cm·K@298K
C ~ 3,9 W/cm·K@298K
a~4,6 W/cm·K@298K
C ~ 3,2 W/cm·K@298K
- ¿ Qué haces?
3.23 eV
3.02 eV
Campo eléctrico de ruptura
3 a 5 × 106 V/cm
3 a 5 × 106 V/cm
Velocidad de deriva de saturación
2.0 × 105 m/s
2.0 × 105 m/s

Alta pureza de 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato

2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato
Grado Grado de MPD cero Grado de producción Grado de investigación Grado de imitación
Diámetro 50.8 mm ± 0,2 mm
El grosor 330 μm±25 μm o 430±25 μm
Orientación de la oblea Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidad de los microtubos ≤ 0 cm2 ≤ 5 cm2 ≤ 15 cm2 ≤ 100 cm2
Resistencia 4H-N 0.015 ~ 0.028 Ω•cm
6H-N 0.02 ~ 0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Piso primario {10-10} ± 5,0°
Duración plana primaria 18.5 mm±2.0 mm
Duración plana secundaria 10.0 mm±2.0 mm
Orientación plana secundaria Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0°
Exclusión de los bordes 1 mm
TTV/Bow/Warp Se aplicarán las siguientes medidas:
La rugosidad Polish Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,5 nm
Las grietas causadas por la luz de alta intensidad No hay 1 permitido, ≤ 2 mm Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad Área acumulada ≤ 1% Área acumulada ≤ 1% Área acumulada ≤ 3%
Áreas de politipo por luz de alta intensidad No hay Área acumulada ≤ 2% Área acumulada ≤ 5%
Rasguños por luz de alta intensidad 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea
el chip de borde No hay 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno

Cuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiCCuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiCCuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiCCuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiC

Aplicaciones de SiC

Los cristales de carburo de silicio (SiC) tienen propiedades físicas y electrónicas únicas.Aplicaciones resistentes a la radiaciónLos dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia fabricados con SiC son superiores a los dispositivos basados en Si y GaAs. A continuación se presentan algunas aplicaciones populares de sustratos SiC.

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Embalaje  Logística
Nos preocupamos por cada detalle del paquete, limpieza, tratamiento antistatico y choque.

De acuerdo con la cantidad y forma del producto, vamos a tomar un proceso de embalaje diferente!

Cuadrado SiC Ventanas Substrato de carburo de silicio 1x1x0.5mmt Lente SiC

Carro de la investigación 0