SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMERCIO FAMOSO CO., LTD DE SHANGAI
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Wafer de carburo de silicio óptico 1/2/3 pulgadas Wafer SIC para la venta Sic Plate Wafer de silicio de orientación plana Empresas para la venta 4 pulgadas 6 pulgadas semilla wafer sic 1.0mm espesor 4h-N SIC Wafer de carburo de silicio para el crecimiento de semillas 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm pulida Silicon Carbide sic chips de sustrato Wafer
El carburo de silicio (SiC), o carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con la fórmula química SiC.de alta tensiónSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.
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Propiedad
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4H-SiC, cristal único
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6H-SiC, cristal único
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Parámetros de la red
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a=3,076 Å c=10,053 Å
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a=3.073 Å c=15.117 Å
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Secuencia de apilamiento
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El ABCB
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El ABCACB
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Dureza de Mohs
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≈9.2
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≈9.2
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Densidad
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3.21 g/cm3
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3.21 g/cm3
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Coeficiente de expansión térmica
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4 a 5 × 10 a 6/K
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4 a 5 × 10 a 6/K
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Indice de refracción @750nm
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no = 2.61
n = 2.66 |
no = 2.60
n = 2.65 |
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Constante dieléctrica
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C ~ 9.66
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C ~ 9.66
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Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)
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a ~ 4,2 W/cm·K@298K
C ~ 3,7 W/cm·K@298K |
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Conductividad térmica (semi-aislante)
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a ~ 4,9 W/cm·K@298K
C ~ 3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K
C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
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- ¿ Qué haces?
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3.23 eV
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3.02 eV
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Campo eléctrico de ruptura
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3 a 5 × 106 V/cm
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3 a 5 × 106 V/cm
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Velocidad de deriva de saturación
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2.0 × 105 m/s
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2.0 × 105 m/s
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Alta pureza de 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato
| 2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | ||||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||||
| Diámetro | 50.8 mm ± 0,2 mm | |||||||||
| El grosor | 330 μm±25 μm o 430±25 μm | |||||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 0 cm2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 100 cm2 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||||||
| Exclusión de los bordes | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||||
| el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||||
Aplicaciones de SiC
Los cristales de carburo de silicio (SiC) tienen propiedades físicas y electrónicas únicas.Aplicaciones resistentes a la radiaciónLos dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia fabricados con SiC son superiores a los dispositivos basados en Si y GaAs. A continuación se presentan algunas aplicaciones populares de sustratos SiC.
Otros productos
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Embalaje Logística
Nos preocupamos por cada detalle del paquete, limpieza, tratamiento antistatico y choque.
De acuerdo con la cantidad y forma del producto, vamos a tomar un proceso de embalaje diferente!