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Óxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación óptica

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Óxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación óptica

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Number modelo :OBLEA DEL SI
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T
Plazo de expedición :2-4weeks
Detalles de empaquetado :solo envase de la oblea
Material :Oblea de silicio y SiO2
Uso :Acoplador de la estrella, divisor
SiO2 grueso :25um +/-6um
paquete :solo envase de la oblea
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Óxido termal del grueso de SapphiLarge (SiO2) en las obleas de silicio para el sistema de comunicación óptica

 

Generalmente, el grueso de la capa del óxido de las obleas de silicio se concentra principalmente debajo de 3um, y los países y las regiones que pueden producir estable las obleas de silicio gruesas de alta calidad de la capa del óxido (sobre 3um) todavía son dominados por los Estados Unidos, el Japón, Corea del Sur y el Taiwán, China. Este proyecto apunta romperse con la eficacia filmógena, el límite del espesor del film y la calidad filmógena de revestimiento de óxido (SiO) bajo proceso actual del crecimiento de la capa del óxido, y produce un máximo de la oblea de silicio ultra-gruesa de la capa del óxido 25um (el +5%) con la eficacia de alta calidad y alta en relativamente un breve periodo de tiempo. En-avión y uniformidad +0,5%, índice de refracción del inter-avión de 1550nm 1.4458+0.0001. Haga una contribución a la localización de 5G y de la comunicación óptica.

Las razones de una comunicación óptica del día substituirán comunicación atada con alambre y de microonda y se convertirán en la corriente principal de la comunicación

  1. Los dispositivos de comunicación óptica son la base de construir sistemas de comunicación óptica y redes
  2. El dispositivo pasivo óptico es una parte importante de equipo de comunicación de fibra óptica, y es también un componente imprescindible de otros usos de fibra óptica.
  3. El dispositivo pasivo óptico realiza las funciones de la conexión, atenuación de la energía, desviación reversa del aislamiento o desviación, modulación de la señal y filtración en la trayectoria óptica respectivamente
  4. Entre ellos, el acoplador del divisor (divisor), de la estrella (acoplador de la estrella), el interruptor óptico (interruptor óptico), el multiplexor de la división de la longitud de onda (WDM), la reja de la guía de onda del arsenal (AWG), el etc., están todos los dispositivos pasivos ópticos basados en soluciones ópticas planares de la tecnología de la guía de onda.
  5. Para las guías de onda ópticas, la silicona (Sio), con buen óptico, las propiedades electromecánicas y la estabilidad termal, se considera ser el acercamiento técnico más práctico y más prometedor para la integración óptica pasiva.

El uso del óxido termal (SiO2) en las obleas de silicio

  • En el contexto del desarrollo rápido de 5G y de la comunicación óptica, así como de las necesidades cada vez mayores de la gente de la transmisión y del intercambio de información, de la búsqueda del retraso de alta velocidad y bajo es sin fin
  • Como portador excelente de la trayectoria óptica, el dióxido de silicio (SiO2) también ha propuesto un silicio requisitos más altos y más exigentes para su grueso y pureza, y del óxido de la capa es un material imprescindible para apoyar los dispositivos ópticos de la comunicación óptica.
  • Los países y las regiones que pueden producir capa gruesa del óxido (sobre 3um) con de alta calidad y la estabilidad siguen siendo principalmente los Estados Unidos, el Japón, Corea del Sur y el Taiwán, China.

Método de producción

Las obleas de silicio forman capas de la silicona a través de los tubos de horno en presencia oxidante en las temperaturas elevadas, un proceso conocido como oxidación termal. La gama de temperaturas se controla de 900 a 1.250℃; El ratio del gas oxidante H2: El O2 está entre el 1.5:1 y 3: 1. según el tamaño de la oblea de silicio, habrá diversa pérdida del flujo sin grueso de la oxidación. el  la oblea de silicio del substrato es 6" o 8" silicio monocristalino con un grueso de la capa del óxido de los 0.1μm a los 25μm.

Especificación estándar

Artículos

Especificación
Grueso de la capa 20um 士 el 5%
Uniformidad (dentro de una oblea) 土 0,5%
Uniformidad (entre las obleas) 土 0,5%
Índice de refracción (@1550nm) 1.4458+0.0001
Partícula media de ≤50Measured <10>

Óxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación ópticaÓxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación óptica

Los detalles de productos

Óxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación ópticaÓxido térmico de SiO2 de gran espesor en obleas de silicio para sistemas de comunicación óptica

 

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