SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
COMERCIO FAMOSO CO., LTD DE SHANGAI
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plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre no polar de GaN del nitruro del galio de GaN del nitruro del galio del mocvd (uno-avión y m-avión)
GaN Wafer Characteristic
| Producto | Substratos del nitruro del galio (GaN) | ||||||||||||||
| Descripción de producto: |
La plantilla de Saphhire GaN se presenta método de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro de Epitxial (HVPE). En el proceso de HVPE, el ácido produjo por la reacción GaCl, que a su vez se reacciona con amoníaco para producir derretimiento del nitruro del galio. La plantilla epitaxial de GaN es una manera rentable de substituir substrato cristalino del nitruro del galio el solo. |
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| Parámetros técnicos: |
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| Especificaciones: |
Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 30 micrones, zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de R, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (M Plane), N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro. Película de AL2O3 + de GaN (N-tipo Si dopado); Película de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnesio dopado) Nota: según la orientación y el tamaño especiales del enchufe de la demanda de los clientes. |
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| Empaquetado estándar: | bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja |
Uso
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
Especificaciones:
| GaN Substrates libre no polar (uno-avión y m-avión) | ||
| Artículo | GAN-FS-uno | GAN-FS-m |
| Dimensiones | 5.0mm×5.5m m | |
| 5.0mm×10.0m m | ||
| 5.0mm×20.0m m | ||
| Tamaño modificado para requisitos particulares | ||
| Grueso | 350 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 1° del uno-avión | ± 1° del m-avión |
| TTV | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | |
| Densidad de dislocación | Menos que los cm2s 5x106 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Front Surface: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
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