diámetro 150m m 8inch 4inch 6inch Silicio-basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene
las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,
la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,
los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son
el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW
dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,
¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?
detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,
detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
¿El factroy es una compañía de alta tecnología innovadora fundada en 2016 por los profesionales de ultramar chinos renombrados del semicon? industria del ductor.
¿se centran su negocio principal en el desarrollo y la comercialización de 3rd/4th-genera? substratos ultra-anchos de AlN del semiconductor del bandgap del tion,
Plantillas de AlN, reactores completamente automáticos del crecimiento de PVT y productos relacionados y servicios para las diversas industrias de alta tecnología.
se ha reconocido como líder global en este campo. Nuestros productos de la base son materiales dominantes de la estrategia enumerados en “hecho en China”.
han desarrollado los seriales de tecnologías propietarias y los reactores y las instalaciones del crecimiento de -estado-de- art PVT a
fabrique diversos tamaños de las obleas monocristalinas de alta calidad de AlN, temlpates de AlN. Somos uno del pocos mundo-principales
¿compañías de alta tecnología que propio capa lleno de la fabricación de AlN?
¿bilities para producir los boules y las obleas de alta calidad de AlN, y para proporcionar profes? servicios del sional y soluciones de llavero a nuestros clientes,
arreglado del diseño del reactor y del hotzone del crecimiento, del modelado y de la simulación, del diseño de proceso y de la optimización, crecimiento cristalino,
¿characteriza wafering y material? tion. Hasta abril de 2019, han aplicado más de 27 patentes (PCT incluyendo).
Especificación
Especificación característica
- Modelo UTI-AlN-150S
- Tipo de la conductividad C-avión de la sola oblea cristalina del Si
- Resistencia (Ω) >5000
- Estructura de AlN Wurzita
- Diámetro (pulgada) 6inch
- Grueso del substrato (µm) 625 ± 15
- Espesor del film de AlN (µm) 500nm
- Orientación C-AXIS [0001] +/- 0.2°
- Área usable el ≥95%
- Grietas Ninguno
- FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
- FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
- Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro) RMS≤6.0
- TTV (µm) ≤7
- Arco (µm) ≤40
- Deformación (µm) -30~30
- Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados
| Estructura cristalina |
Wurzita
|
| Constante del enrejado (Å) |
a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción |
Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) |
3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) |
800 |
| Punto de fusión (℃) |
2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) |
320 |
| Energía del hueco de banda (eV) |
6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) |
1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) |
11,7 |
