Categorías de Producto

equipo de laboratorio científico

[60]

Caja de reloj del cristal de zafiro

[21]

Substrato monocristalino fino superconductor

[13]

Contacta

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Visita el sitio web

Ciudad:shanghai

Provincia / Estado:shanghai

País/Región:china

Persona de contacto:MrWang

Ver detalles de contacto

Contacta

China Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT wholesale

PHEMT

Preguntar último precio

Canal de vídeo

Número de modelo :6inch S-C-N

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :5pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :500pcs por mes

Plazo de expedición :2-4 semanas

Detalles de empaquetado :la sola oblea embaló en 6" caja plástica debajo del N2

Materiales :Solo cristal del GaAs

Tamaño :6inch

Espesor :650um o customzied

Del tipo :muesca o del plano

Orientación :(100) 2°off

superficie :DSP

Método del crecimiento :VFG

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

el tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-dopó la oblea del GaAs del arseniuro de galio

Descripción de producto

Obleas del arseniuro de galio (GaAs)

PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.

Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED

1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.
2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.
3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.

Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

ESPECIFICACIÓN --N-tipo oblea del SI-dopante de 6 pulgadas del arseniuro de galio de SSP/DSP LED/LD
Método del crecimiento	VGF
Orientación	<100>
Diámetro	150,0 +/- 0,3 milímetros
Grueso	650um +/- 25um
Polaco	Escoja (SSP) pulido echado a un lado
Aspereza superficial	Pulido
TTV/Bow	<10um>
Dopante	Si
Tipo de la conductividad	N-tipo
Resistencia (en el RT)	(1.2~9.9) *10-3 ohmio cm
Densidad del hoyo de grabado de pistas (EPD)	LED <5000>2; LD <500>
Movilidad	Cm2s/v.s del LED >1000; Cm2s/v.s del LD >1500
Concentración de portador	LED > (0.4-4) 1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) 1018 /cm3

Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs

Método del crecimiento	VGF
Dopante	p-tipo: Zn		n-tipo: Si
Forma de la oblea	Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6")
Orientación superficial *	(100) ±0.5°
* otras orientaciones quizá disponibles a petición
Dopante	Si (n-tipo)		Zn (p-tipo)
Concentración de portador (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0.5-5) × 1019
Movilidad (cm2/V.S.)	× 103 (de 1-2.5)		50-120
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2)	100-5000		3,000-5,000
Diámetro de la oblea (milímetro)	50.8±0.3	76.2±0.3		100±0.3
Grueso (µm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
DEFORMACIÓN (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
DE (milímetro)	17±1	22±1		32.5±1
DE/SI (milímetro)	7±1	12±1		18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P

Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs

Método del crecimiento	VGF
Dopante	Tipo del SI: Carbono
Forma de la oblea	Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6")
Orientación superficial *	(100) ±0.5°
* otras orientaciones quizá disponibles a petición
Resistencia (Ω.cm)	× 107 del ≥ 1		× 108 del ≥ 1
Movilidad (cm2/V.S)	≥ 5.000		≥ 4.000
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2)	1,500-5,000		1,500-5,000
Diámetro de la oblea (milímetro)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Grueso (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
DEFORMACIÓN (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
DE (milímetro)	17±1	22±1	32.5±1	MUESCA
DE/SI (milímetro)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6 workweeks después de que usted ponga la orden.

Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, garantía segura del pago y del comercio en Alibaba y etc….

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.

Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la forma del producto,

¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!

Etiquetas de productos: