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Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m del grado 6inch de la prueba 4H-N (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, oblea cristalina del carburo de silicio
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias
1. La especificación
| 6 pulgada de diámetro, especificación del substrato del carburo de silicio (sic) | ||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||
| Diámetro | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
| ThicknessΔ | 350 μm±25μm o 500±25un | |||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia< 1120=""> ±0.5° para 4H-N en eje: <0001>±0.5° para 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm±2.5 milímetro | |||||||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | |||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | El area≤2% acumulativo | El area≤5% acumulativo | |||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||
| Microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||
| Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno | |||||||
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Oblea del tipo 4H-N/de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
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6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea de la pulgada 6H |
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