Wisdtech Technology Co.,Limited

WisdTech · Fabricante de servicios de integración de productos electrónicos

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
2 Años
Casa / Productos / RF Transistors /

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

Contacta
Wisdtech Technology Co.,Limited
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsTao
Contacta

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

Preguntar último precio
Canal de vídeo
Número de modelo :2SA1943-O (((Q)
Lugar de origen :JP
Cantidad mínima de pedido :1 PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de suministro :5000
Tiempo de entrega :1 día
Detalles del embalaje :Envases
Descripción :2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
Las existencias :2000 piezas
Código de fecha :Código más reciente
Envío por :DHL/UPS/Fedex
Condición :Nuevo*Original
Garantización :365 días
Sin plomo :Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega :Envío inmediato
Paquete :TO-3P-3
Estilo de montaje :A través del agujero
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero

Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
La norma RoHS: Detalles
A través del agujero
En el caso de los equipos de seguridad de los Estados miembros:
PNP
No casado
Las demás:
Las demás:
5 V
1.5 V
15 A
150 W
30 MHz
-
+ 150 °C
2A
Envases
Marca: Toshiba
Corriente continua del colector: - El 15 A.
El colector de corriente continua / ganancia de base hfe Min: 55
Variación de la velocidad de la corriente continua: 160
Alturas: 26 mm
Duración: 20.5 mm
Tipo de producto: BJT - Transistores bipolares
Subcategoría: Transistores
Tecnología: Sí, sí.
Ancho: 5.2 mm
Peso unitario: 0.238311 onzas

Aplicaciones de amplificadores de potencia

• Alta tensión del colector: VCEO=-230 V (min)
• Complementario del 2SC5200
• Se recomienda para la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W.

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

Especificaciones

  • Fabricante: Toshiba
  • Tipo de transistor: NPN
  • Tipo de paquete: TO-3PL
  • Disposición máxima de energía: 150 W
  • Voltagem del emisor del colector (VCEO): 230V
  • Corriente máxima del colector: 15A
  • La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
  • Frecuencia: 30MHz
  • Tipo de montaje: a través del agujero
  • Temperatura de funcionamiento: 150°C TJ
  • Estado de la parte: Obsoleta

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

Carro de la investigación 0