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AMB Si3N4 PCB cerámico - 96% de sustrato, conductividad térmica de 80 W/MK, 100um de cobre con chapa de oro

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AMB Si3N4 PCB cerámico - 96% de sustrato, conductividad térmica de 80 W/MK, 100um de cobre con chapa de oro

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Breve introducción

Se trata de un PCB cerámico de un solo lado construido con 96% de sustratos cerámicos de Nitruro de Silicio (Si3N4), utilizando tecnología de brasado activo de metal (AMB).La placa de circuito cerámico AMB-Si3N4 tiene características de alta conductividad térmicaEsta placa adopta un cobre pesado de 100um (2.85 oz) para garantizar un flujo de corriente eficiente.También emplea oro espeso, proporcionando una superficie de conexión confiable para los componentes y protegiendo contra la oxidación y el desgaste, prolongando la vida útil del PCB.ofreciendo la máxima flexibilidad para los clientes con necesidades específicas de soldadura o personalizaciónEstá fabricado según las normas IPC clase 2.

 

Especificaciones básicas

El tamaño del PCB: 42 mm x 41 mm = 1 PCS

Número de capas: PCB cerámico de una sola cara

El espesor:0.25 mm

Material de base: 96% de Si3N4 Substrato cerámico

Finalización de la superficie: Revestida de oro

Conductividad térmica del dieléctrico: 80 W/MK

Peso de cobre: 100um (2.85 oz)

El espesor del oro: >=1um (39,37 micro pulgadas)

No hay máscara de soldadura ni serigrafía

Tecnología: brasado activo de metales (AMB)

 

Tamaño del PCB 42 x 41 mm = 1 PCS
Tipo de tablero  
Número de capas PCB cerámico de doble cara
Componentes montados en la superficie - Sí, es cierto.
A través de componentes perforados No incluido
El nivel de la carga el cobre ------- 100um ((2.85 oz)
Si3N4 Cerámica -0,25 mm
el cobre ------- 100um ((2.85 oz)
La tecnología  
Traza y espacio mínimos: 25 mil / 25 mil
Agujas mínimas / máximas: 0.5 mm / 1,0 mm
Número de agujeros diferentes: 2
Número de agujeros de perforación 2
Número de ranuras fresadas: 0
Número de recortes internos: 1
Control de la impedancia No es
Materiales para el tablero  
Vidrio epoxi: Si3N4 Cerámica -0,25 mm
Folios finales exteriores: 2.85 onzas
En el interior de la lámina final: No incluido
Altura final del PCB: 0.3 mm ± 0,1 mm
Revestimiento y revestimiento  
Finalización de la superficie El oro electroplacado (oro duro)
Máscara de soldadura Aplicar a: No
Color de la máscara de soldadura: No
Tipo de máscara de soldadura: No incluido
Conto/corte Enrutamiento
Marcado  
Lado de la leyenda del componente No
Color de la leyenda del componente No
Nombre o logotipo del fabricante: No incluido
VIA No revestido a través de agujeros (NPTH)
Clasificación de la inflamabilidad 94 V-0
TOLERANCIA de las dimensiones  
Dimensión del contorno: 0.0059" (0,15 mm)
El revestimiento del tablero: 0.0030" (0,076 mm)
Tolerancia del taladro: 0.002" (0,05 mm)
TEST Prueba eléctrica al 100% antes del envío
Tipo de obra de arte a suministrar archivo de correo electrónico, Gerber RS-274-X, PCBDOC, etc
Área de servicio En todo el mundo.

 

Tecnología de brasado activo de metales (AMB)

El proceso AMB (Active Metal Brazing) es un método que utiliza una pequeña cantidad de elementos activos contenidos en el metal de relleno de soldadura (por ejemplo, titanio Ti) para reaccionar con la cerámica,generando una capa de reacción que puede ser soldada por el metal de relleno de soldadura líquida, logrando así la unión entre la cerámica y el metal.

 

Sustratos cerámicos de Si3N4 (nitruro de silicio)

Los sustratos cerámicos Si3N4 son materiales avanzados reconocidos por sus excepcionales propiedades mecánicas, térmicas y eléctricas, lo que los hace ideales para aplicaciones de alto rendimiento.

 

Los sustratos cerámicos son totalmente personalizables para satisfacer los requisitos específicos del cliente, incluido el espesor cerámico a medida, el espesor de la capa de cobre y las opciones de tratamiento de la superficie.

 

Su bajo coeficiente de expansión térmica (CTE, por sus siglas en inglés) oscila entre 2,5 y 3,1 ppm/K (40-400 °C), muy parecido al silicio y otros materiales semiconductores,reduciendo así al mínimo la tensión térmica en los dispositivos electrónicosLa conductividad térmica de 80 W/mK a 25°C garantiza una disipación de calor eficiente, por lo que son adecuados para ambientes de alta potencia y alta temperatura.

 

Las cerámicas Si3N4 cuentan con una resistencia a la flexión impresionante de ≥ 700 MPa, proporcionando una resistencia mecánica y durabilidad excepcionales para aplicaciones exigentes.Apoya el soldado de capas de cobre más gruesas que 0.8 mm, reduciendo la resistencia térmica y permitiendo cargas de alta corriente.perfectamente compatible con los chips SiC para un rendimiento óptimo.

 

Las partidas Unidad Al2O3 Si3N4
Densidad G/cm3 ≥ 3 años3 ≥ 3 años22
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. Mm ≤ 06 ≤ 07
Resistencia a la flexión En el caso de las ≥ 450 ≥ 700
Coeficiente de expansión térmica 10^-6/K 4.6 a 5.2 (40 a 400 °C) 2.5 a 3.1 (40 a 400 °C)
Conductividad térmica W/(m*K) ≥ 170 (25 °C) 80 (25°C)
Constante dieléctrica 1MHz 9 9
Pérdida dieléctrica 1MHz 2*10^4 2*10^4
Resistividad por volumen O*cm > 10^14 (25 °C) > 10^14 (25 °C)
Resistencia dieléctrica el valor de las emisiones de CO2 > 20 años > 15

 

  espesor de cobre
0.15 mm 0.25 mm 0.30 mm 0.50 mm 0.8 mm
El espesor de la cerámica 0.25 mm Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 -
0.32 mm Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4 Sí, sí.3No4
0.38 mm AlN AlN AlN - -
0.50 mm AlN AlN AlN - -
0.63 mm AlN AlN AlN - -
1.00 mm AlN AlN AlN - -

 

Nuestra capacidad de procesamiento de PCB

Podemos procesar circuitos de precisión con un ancho de línea / espacio de 3 mil / 3 mil y un espesor de conductor de 0.5 oz-14 oz.el proceso de presa inorgánica, y la fabricación de circuitos 3D.

 

Podemos manejar diferentes espesores de procesamiento, como 0,25 mm, 0,38 mm, 0,5 mm, 0,635 mm, 1,0 mm, 1,5 mm, 2,0 mm, 2,5 mm, 3,0 mm, etc.

 

Ofrecemos tratamientos de superficie diversificados, incluyendo el proceso de oro electroplacado (1-30u"), el proceso de inmersión de oro de níquel paladio sin electro (1 - 5u"), el proceso de plata electroplacada (3 - 30um),Proceso de níquel electroplacado (3-10um)Proceso de inmersión de estaño (1-3um), etc.

 

AMB Si3N4 PCB cerámico - 96% de sustrato, conductividad térmica de 80 W/MK, 100um de cobre con chapa de oro

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