TI ISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms del negro del módulo de poder de 100Mbps IGBT
Number modelo:ISOW7741FDFMR
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
7F, F constructiva, parque tecnológico de Longjing, camino de 335 Bulong, comunidad del mA Antang, calle de Bantian, distrito de Longgang, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Módulo de poder de IGBT Texas Instruments /TI ISOW7741FDFMR
| Tipo | Aislador de Digitaces |
| Tarifa de datos (máxima) (Mbps) | 100 |
| Grado del aislamiento (Vrms) | 5000 |
| Capacidad de los picos de voltaje (Vpk) | 10000 |
| Gama de temperaturas de funcionamiento (c) | -40 a 125 |
| Grado | Catálogo |
Características para el ISOW7741
- Tarifa de 100 datos de Mbps
- Convertidor integrado de DC-DC con las bajo-emisiones, de poco
ruido
- La emisión optimizó para resolver la clase B de CISPR 32 y del EN 55032 con el margen del DB >5 en tablero de 2 capas
- Convertidor de poder de baja fricción en 25 megaciclos permitiendo funcionamiento de poco ruido
- Ondulación baja de la salida: 24 milivoltios
- Eficacia alta de potencia de salida
- Eficacia en la carga máxima: el 46%
- Hasta 0.55-W de potencia de salida
- Exactitud de VISOOUT del 5%
- 5 V a 5 V: Corriente disponible máxima de la carga = 110 mA
- 5 V a 3,3 V: Corriente disponible máxima de la carga = 140 mA
- 3,3 V a 3,3 V: Corriente disponible máxima de la carga = 60 mA
- Fuente de alimentación independiente para el aislador del canal y
el convertidor de poder
- Fuente de la lógica (VIO): 1.71-V a 5.5-V
- Fuente del convertidor de poder (VDD): 3-V a 5.5-V
- Compatibilidad electromágnetica robusta (EMC)
- ESD a nivel sistema, EFT, e inmunidad de la oleada
- protección de la descarga del contacto del IEC 61000-4-2 de ±8 kilovoltio a través de la barrera del aislamiento
- Opciones reforzadas y básicas del aislamiento
- Alto CMTI: 100-kV/µs (típico)
- Certificaciones relativas a la seguridad (previstas):
- Aislamiento reforzado y básico del VDE por el VDE del estruendo V 0884-11:2017-01
- Programa del reconocimiento del componente de la UL 1577
- Certificaciones del IEC 62368-1, del IEC 61010-1, del IEC 60601-1 y del GB 4943.1-2011
- Gama de temperaturas extendida: – 40°C a +125°C
- 20-pin paquete ancho del cuerpo SOIC
Descripción para el ISOW7741
La familia de ISOW77xx de dispositivos es aislador digital galvánico-aislado del patio-canal con un convertidor de poder de gran eficacia integrado con las emisiones bajas. El convertidor integrado de DC-DC proporciona hasta 550 mW de poder aislado, eliminando la necesidad de una fuente de alimentación aislada separada en diseños aislados espacio-obligados.
TI ISOW7741FDFMR 10000Vpk 5000Vrms del negro del módulo de poder de 100Mbps IGBT
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