MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero
Number modelo:TK30E06N1, S1X
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:L/C, Western Union, palpay
Capacidad de la fuente:1000PCS/Months
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen China
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5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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TK30E06N1, MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de S1X a través del agujero
. Ofrece (1) en-resistencia baja de la dren-fuente: MΩ 12,2 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.) (VGS = 10 V)
(2) corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)
(3) modo del aumento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 0,2 mA)
| MOSFET | |
| RoHS: | Detalles |
| Si | |
| A través del agujero | |
| TO-220-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 60 V | |
| 43 A | |
| 15 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2 V | |
| 16 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 53 W | |
| Aumento | |
| U-MOSVIII-H | |
| Tubo | |
| Configuración: | Solo |
| Altura: | 15,1 milímetros |
| Longitud: | 10,16 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Serie: | TK30E06N1 |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 50 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Anchura: | 4,45 milímetros |
| Peso de unidad: | 0,068784 onzas |
MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero
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